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公开(公告)号：CN107030356A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710354882.5
申请日：2017-05-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B23K10/00
CPC classification number: B23K10/00
Abstract: 本发明涉及一种多功能复合数控真空电子束加工设备，该设备包括真空工作室、安装在真空工作室顶部的外置熔炼电子枪、焊接电子枪、表面扫描电子枪、焊接电子枪的局部直线动密封运动机构、以及电子枪高真空泵；安装在真空工作室下部的用于工作台引出的引出台等。本发明将电子束熔炼、电子束焊接、电子束扫描及电子束区熔等加工技术集于同一台设备上，采用共同的真空加工室和共同的真空室抽真空系统，可以实现多种加工技术同时进行，也可作为单一功能的设备使用，使得焊接、表面扫描处理、熔炼、区熔等电子束加工均可在同一台设备上完成。
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公开(公告)号：CN112975098B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201911324212.4
申请日：2019-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B23K15/00
Abstract: 本发明公开了一种改善电子束焊接焊偏的方法。该方法包括；获取焊接设备主要焊接参数；获取主要电子束焊接模型主要参数；获取电子经过磁化焊接件产生磁场而偏移焊缝的距离，进行实验准备；合理假设，简化条件，获取磁化焊接件产生磁场的大小与方向分量，进行约束方程推导；用CST软件建立焊接模型，设置主要焊接参数，进行网格划分；对模型进行电、磁场加载，查看后处理结果，通过偏转线圈设置匝数与二向电流进行改善聚焦点的仿真；制作偏转线圈，根据仿真参数进行实际的焊接工作。本发明有效的改善了电子束的偏移，避免了传统的消磁方法产生高温而影响材料表面性能，对大厚板件退磁效果不明显，实验成本较高，需要专业有经验的人员进行操作的缺点。
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公开(公告)号：CN106283029A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510277240.0
申请日：2015-05-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C23C24/00
Abstract: 本发明公开了一种厚度可调的薄膜涂层预置机构，其特征在于，包括定位上模、定位下模、工作台和压膜盘，所述定位上模的下端面设有上模凹槽，定位下模的上端面设有下模凹槽，定位上模与定位下模通过定位螺栓固定，上模凹槽与下模凹槽相对应形成压膜腔；所述工作台设置在下模凹槽内，工作台与厚度调节螺栓可转动连接，厚度调节螺栓的调节端穿出定位下模下端面，厚度调节螺栓与定位下模螺接；所述压膜盘设置在上模凹槽内，压膜盘与压紧螺栓可转动连接，压紧螺栓的调节端穿出定位上模上端面，压紧螺栓与定位上模螺接。本机构可以按需求对涂层的厚度进行精确的控制，操作方便，压膜过程稳定，结构布局合理，效率高。
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公开(公告)号：CN204727948U
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201520349883.7
申请日：2015-05-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C23C24/00
Abstract: 本实用新型公开了一种厚度可调的薄膜涂层预置机构，其特征在于，包括定位上模、定位下模、工作台和压膜盘，所述定位上模的下端面设有上模凹槽，定位下模的上端面设有下模凹槽，定位上模与定位下模通过定位螺栓固定，上模凹槽与下模凹槽相对应形成压膜腔；所述工作台设置在下模凹槽内，工作台与厚度调节螺栓可转动连接，厚度调节螺栓的调节端穿出定位下模下端面，厚度调节螺栓与定位下模螺接；所述压膜盘设置在上模凹槽内，压膜盘与压紧螺栓可转动连接，压紧螺栓的调节端穿出定位上模上端面，压紧螺栓与定位上模螺接。本机构可以按需求对涂层的厚度进行精确的控制，操作方便，压膜过程稳定，结构布局合理，效率高。
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公开(公告)号：CN208508585U
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201821320307.X
申请日：2018-08-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种基于电力载波的智能充电系统，包括管理部分和充电部分。管理部分由PC上位机、人机界面、数据库、管理网关、管理单片机和管理射频卡读写模块组成；管理射频卡读写模块经由管理单片机连接PC上位机；人机界面和数据库连接在PC上位机上；管理网关与PC上位机相连。充电部分由充电网关、至少1个充电桩和至少1个插座组成；充电网关与所有充电桩连接，每个充电桩连接至少1个插座。本实用新型的充电桩和插座、网关的通信方式为电力载波方式，降低了布线的难度和成本，也避免了无线方式易受干扰的问题，其具有结构简单、安装简易和实用性强的特点，可对小区、公共场所、停车场等地的电动车进行充电管理，易于推广应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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