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公开(公告)号：CN216284931U
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202122754551.5
申请日：2021-11-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器，包括二氧化硅衬底，以及设置在二氧化硅衬底的至少一个金属纳米单元；每个金属纳米单元由金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒组成；金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒之间存在间隙；金属纳米缺陷圆盘为边缘带有的矩形缺口的圆形；金属纳米棒为矩形；金属纳米缺陷圆盘上的矩形缺口朝向金属纳米棒方向，且矩形缺口的宽边中心线与金属纳米棒的宽边中心线的中线垂直。本实用新型通过金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒产生偶极子，两偶极子相互耦合产生一个表面等离子共振峰。通过改变金属纳米单元的几何参数，可以实现表面等离子共振的共振强度及共振波长位置的调控，并获得高灵敏度。
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