-
公开(公告)号：CN219834828U
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202321371735.6
申请日：2023-05-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本申请提供了一种采用PMMA/MoS2异质结构作为活性层的双功能层忆阻器包括衬底层、底电极层、石墨烯层、二硫化钼层、聚甲基丙烯酸甲酯层和顶电极层，所述底电极层位于所述衬底层的表面，所述石墨烯层位于所述底电极层远离所述衬底层的一侧表面，所述二硫化钼层位于所述石墨烯层远离所述底电极层的一侧表面，所述聚甲基丙烯酸甲酯层位于所述二硫化钼层远离所述底电极层的一侧表面，所述顶电极层位于所述聚甲基丙烯酸甲酯层远离所述二硫化钼层的一侧表面。所述双功能层忆阻器的稳定性好、可重复性好、器件体积小、功耗低以及便于集成。
Search Results
11
records
(took 0.02 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
