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公开(公告)号:CN109755524A
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201811655459.X
申请日:2018-12-29
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种改性LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2三元正极材料的制备方法及产品和电池。该三元正极材料的制备方法包括:在制备镍钴锰氢氧化物前驱体时先引入镁元素,然后在共沉淀反应后期改用偏钨酸铵水溶液作为络合剂,利用偏钨酸铵在水中水解后以氨离子和钨酸根离子出现,将氨离子充当络合剂用于补偿共沉淀反应,而钨酸根离子在沉淀反应阶段中形成的镍钴锰氢氧化物前驱体表面上部分沉积,实现钨元素的原位引入,之后再经锂化处理以获得表面含钨元素的三元正极粉末。本发明通过添加镁元素及表面部原位掺杂钨元素,使所得改性三元正极粉末的充放电性能、循环性能等得到有效改善。
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公开(公告)号:CN106785018B
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201710077405.9
申请日:2017-02-13
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种添加锂锡合金、溴化银和氯化银的硫化锂系固体电解质材料及其制备方法。所述的制备方法包括以下步骤:1)在气氛保护条件下,按2.5‑4.0:0.5‑1.0:0.02‑0.1:0.01‑0.05的摩尔比称取硫化锂、硫化磷、锂锡合金粉末和硫磺,混合均匀,得到锂硫磷锡混合物;2)在气氛保护及安全红光条件下,取锂硫磷锡混合物、溴化银和氯化银,置于球磨罐中球磨,得到含溴化银和氯化银的非晶态锂硫磷锡混合物;3)将步骤2)所得混合物在气氛保护条件下密封,之后于真空条件下升温至60‑150℃进行热处理,即得。本发明通过同时添加锂锡合金、溴化银和氯化银以提升所得固体电解质材料的锂离子传导率。
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公开(公告)号:CN106785018A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201710077405.9
申请日:2017-02-13
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M10/0562 , H01M10/0525 , H01M2300/0068
Abstract: 本发明公开了一种添加锂锡合金、溴化银和氯化银的硫化锂系固体电解质材料及其制备方法。所述的制备方法包括以下步骤:1)在气氛保护条件下,按2.5‑4.0:0.5‑1.0:0.02‑0.1:0.01‑0.05的摩尔比称取硫化锂、硫化磷、锂锡合金粉末和硫磺,混合均匀,得到锂硫磷锡混合物;2)在气氛保护及安全红光条件下,取锂硫磷锡混合物、溴化银和氯化银,置于球磨罐中球磨,得到含溴化银和氯化银的非晶态锂硫磷锡混合物;3)将步骤2)所得混合物在气氛保护条件下密封,之后于真空条件下升温至60‑150℃进行热处理,即得。本发明通过同时添加锂锡合金、溴化银和氯化银以提升所得固体电解质材料的锂离子传导率。
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公开(公告)号:CN109768271B
公开(公告)日:2022-06-21
申请号:CN201811655460.2
申请日:2018-12-29
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种改性LiNi0.7Co0.1Mn0.2O2三元正极材料的制备方法及产品和电池。该三元正极材料的制备方法包括:在制备镍钴锰氢氧化物前驱体时先引入镁元素,然后在共沉淀反应后期改用偏钨酸铵水溶液作为络合剂,利用偏钨酸铵在水中水解后以氨离子和钨酸根离子出现,将氨离子充当络合剂用于补偿共沉淀反应,而钨酸根离子在沉淀反应阶段中形成的镍钴锰氢氧化物前驱体表面上部分沉积,实现钨元素的原位引入,之后再经锂化处理以获得表面含钨元素的三元正极粉末。本发明通过添加镁元素及表面部原位掺杂钨元素,使所得改性三元正极粉末的充放电性能、循环性能等得到有效改善。
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公开(公告)号:CN109755524B
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN201811655459.X
申请日:2018-12-29
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种改性LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2三元正极材料的制备方法及产品和电池。该三元正极材料的制备方法包括:在制备镍钴锰氢氧化物前驱体时先引入镁元素,然后在共沉淀反应后期改用偏钨酸铵水溶液作为络合剂,利用偏钨酸铵在水中水解后以氨离子和钨酸根离子出现,将氨离子充当络合剂用于补偿共沉淀反应,而钨酸根离子在沉淀反应阶段中形成的镍钴锰氢氧化物前驱体表面上部分沉积,实现钨元素的原位引入,之后再经锂化处理以获得表面含钨元素的三元正极粉末。本发明通过添加镁元素及表面部原位掺杂钨元素,使所得改性三元正极粉末的充放电性能、循环性能等得到有效改善。
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公开(公告)号:CN109768271A
公开(公告)日:2019-05-17
申请号:CN201811655460.2
申请日:2018-12-29
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种改性LiNi0.7Co0.1Mn0.2O2三元正极材料的制备方法及产品和电池。该三元正极材料的制备方法包括:在制备镍钴锰氢氧化物前驱体时先引入镁元素,然后在共沉淀反应后期改用偏钨酸铵水溶液作为络合剂,利用偏钨酸铵在水中水解后以氨离子和钨酸根离子出现,将氨离子充当络合剂用于补偿共沉淀反应,而钨酸根离子在沉淀反应阶段中形成的镍钴锰氢氧化物前驱体表面上部分沉积,实现钨元素的原位引入,之后再经锂化处理以获得表面含钨元素的三元正极粉末。本发明通过添加镁元素及表面部原位掺杂钨元素,使所得改性三元正极粉末的充放电性能、循环性能等得到有效改善。
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公开(公告)号:CN109755523A
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201811655457.0
申请日:2018-12-29
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种包覆改性LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2三元正极材料及其制备方法和电池。该三元正极材料的制备方法包括:在制备镍钴锰氢氧化物前驱体时先引入镁元素,然后在共沉淀反应后期改用钼酸铵水溶液作为络合剂,利用钼酸铵在水中水解后以氨离子和钼酸根离子出现,将氨离子充当络合剂用于补偿共沉淀反应,而钼酸根离子在沉淀反应阶段中形成的镍钴锰氢氧化物前驱体表面上部分沉积,实现钼元素的原位引入,之后再经锂化处理以获得表面含钼元素的三元正极粉末。本发明通过添加镁元素及表面部原位掺杂钼元素,使所得改性三元正极粉末的充放电性能、循环性能等得到有效改善。
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公开(公告)号:CN109728279A
公开(公告)日:2019-05-07
申请号:CN201811644035.3
申请日:2018-12-29
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高镍三元正极材料的表面处理方法及产品和电池。所述高镍三元正极材料的表面处理方法为:以聚酰胺酸溶液为包覆液,将高镍三元正极材料置于包覆液中搅拌混合一定时间,取出,干燥,所得聚酰胺酸包覆的高镍三元正极材料粉末先置于真空条件下进行低温热处理,再于氧化气氛中进行中温热处理,即得到碳包覆的高镍三元正极材料。采用该方法对高镍三元正极材料进行表面处理,不仅能够除去高镍三元正极粉末表面碱性,使得在将所得材料于常规条件下(露点-30℃)进行制浆时不会出现浆料变成凝胶现象,还能保证所得材料的充放电容量不受损失。
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