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公开(公告)号：CN120084389A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510256874.1
申请日：2025-03-05
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明涉及聚变能源技术领域，具体涉及一种测量聚变能和聚变功率的方法及系统，测量系统，包括：真空管道、真空泵组、气瓶、分析瓶、压力计，所述真空泵组的进气端通过所述真空管道与聚变装置连通，所述气瓶通过所述真空管道与所述真空泵组的出气端连通，所述分析瓶与所述气瓶连通，所述压力计的测压端与所述气瓶内部连通；本发明抽取和收集聚变装置产生的气体，并通过分析瓶采用化学反应法或降温法分离气体中的氦气，并确定气体中氦气的比例，最后通过结合气瓶压力、温度及气体组成比例，计算聚变装置的聚变能和聚变功率。
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公开(公告)号：CN114324459B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111620006.5
申请日：2021-12-27
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 核工业西南物理研究院
IPC: G01N25/20
Abstract: 本申请实施例公开了一种测试装置和测试数据处理方法，用于监测测试过程中朗缪尔探针热性能的实时变化情况。本申请实施例的一种测试装置，用于对朗缪尔探针进行测试，包括：测温仪和多个热电偶，热电偶包括第一热电偶和第二热电偶；其中，第一热电偶和第二热电偶用于设置在朗缪尔探针的侧壁，且第一热电偶的第一位置和第二热电偶的第二位置沿朗缪尔探针的延伸方向间隔预设距离；测温仪连接第一热电偶和第二热电偶，测温仪用于采集第一位置的第一温度和第二位置的第二温度，第一温度和第二温度用于生成测试结果。
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公开(公告)号：CN119986767A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510155737.9
申请日：2025-02-12
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明公开了一种氦4正比计数管的中子测量装置，包括：氦4正比计数管，以氦4为主要气体的正比计数管，其内部气压大于等于1Mpa，作为中子探测器并用于产生电离粒子；中子慢化准直体，包裹氦4正比计数管，用于散射和慢化其视线外核聚变装置产生的中子，实现准直效果；放大器，用于放大氦4正比计数管的输出信号；脉冲高度分析器，用于接收放大后的输出信号，输出脉冲高度谱；计算模块，用于接收脉冲高度谱，并基于预先确定的氘氘中子响应能谱和氘氚中子响应能谱拟合脉冲高度谱，得到脉冲高度分析器输出中氘氘中子的份额和氘氚中子的份额之比，并计算氘氘中子与氘氚中子之比。本发明不依赖于光电倍增管，装置不易受到干扰。
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公开(公告)号：CN119986764A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510155400.8
申请日：2025-02-12
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: G01T1/36
Abstract: 本发明公开了一种核测量能谱结果半高全宽的分析方法及系统，该方法包括：获取核测量能谱结果，识别出核测量能谱结果的边沿；所述边沿包括上升沿或者下降沿；对识别出的核测量能谱结果的边沿扣除本底，得到扣除本底后的边沿数据；在所述扣除本底后的边沿数据中，根据边沿第一高度和边沿第二高度分别对应的第一位置和第二位置以及关系系数，计算半高全宽；其中，边沿第一高度和边沿第二高度为所述扣除本底后的边沿数据中任意边沿高度，且边沿第一高度与边沿第二高度不相等。本发明能够从中子散射方法测量的能谱结果中分析出半高全宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119210368A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411300368.X
申请日：2024-09-18
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于线性功率放大器的电流自主保护电路，涉及托克马克装置诊断技术领域，解决了现有托卡马克装置探针诊断电路在过流时停止功率放大器工作，影响探针数据获取的问题，方案包括：多级放大器连接乙类功率放大器的输入，乙类功率放大器的输出连接驱动电流限制电路，驱动电流限制电路连接探针；驱动电流限制电路通过反馈电路连接多级放大器的输入，驱动电流限制电路通过正向电流限制电路连接乙类功率放大器的NPN晶体管，驱动电流限制电路通过负向电流限制电路连接乙类功率放大器的PNP晶体管；驱动电流限制电路提供两种不同的阻值；通过设置反馈回路，在探针诊断电路出现过流时拉低电流代替停止功率放大器，保持探针数据采集。
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公开(公告)号：CN112408952B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011413358.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 核工业西南物理研究院
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明提供一种高热导薄壁陶瓷管及其制造方法，其中，高热导薄壁陶瓷管的制造方法，包括：步骤一、取一定量4N纯度以上、粒度D50为0.2μm～0.6μm的氧化铝粉末原料进行精细处理；步骤二、在加热状态下，将处理过的氧化铝粉末与粘结剂混合均匀，挤出制得陶瓷喂料；步骤三、将陶瓷喂料注塑成型，制得薄壁管生胚；步骤四、对薄壁管生胚进行脱脂处理；步骤五、对脱脂处理后的薄壁管进行保温；步骤六、保温后，烧结制得薄壁陶瓷管。通过上述方法制得的陶瓷管，管内径为3mm～4mm，壁厚为0.3mm～0.5mm，相对密度在99.5％以上，室温下热导率能够达到30W/(m·K)以上,1000℃热导率能够达到7W/(m·K)以上。
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公开(公告)号：CN114324459A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111620006.5
申请日：2021-12-27
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 核工业西南物理研究院
IPC: G01N25/20
Abstract: 本申请实施例公开了一种测试装置和测试数据处理方法，用于监测测试过程中朗缪尔探针热性能的实时变化情况。本申请实施例的一种测试装置，用于对朗缪尔探针进行测试，包括：测温仪和多个热电偶，热电偶包括第一热电偶和第二热电偶；其中，第一热电偶和第二热电偶用于设置在朗缪尔探针的侧壁，且第一热电偶的第一位置和第二热电偶的第二位置沿朗缪尔探针的延伸方向间隔预设距离；测温仪连接第一热电偶和第二热电偶，测温仪用于采集第一位置的第一温度和第二位置的第二温度，第一温度和第二温度用于生成测试结果。
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公开(公告)号：CN112408952A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011413358.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 核工业西南物理研究院
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明提供一种高热导薄壁陶瓷管及其制造方法，其中，高热导薄壁陶瓷管的制造方法，包括：步骤一、取一定量4N纯度以上、粒度D50为0.2μm～0.6μm的氧化铝粉末原料进行精细处理；步骤二、在加热状态下，将处理过的氧化铝粉末与粘结剂混合均匀，挤出制得陶瓷喂料；步骤三、将陶瓷喂料注塑成型，制得薄壁管生胚；步骤四、对薄壁管生胚进行脱脂处理；步骤五、对脱脂处理后的薄壁管进行保温；步骤六、保温后，烧结制得薄壁陶瓷管。通过上述方法制得的陶瓷管，管内径为3mm～4mm，壁厚为0.3mm～0.5mm，相对密度在99.5％以上，室温下热导率能够达到30W/(m·K)以上,1000℃热导率能够达到7W/(m·K)以上。
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公开(公告)号：CN111348932A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811578816.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明属于材料处理技术，具体涉及一种纯钨材料和绝缘陶瓷的连接方法，将钨材料预处理之后在其表面制备过渡层，之后在制备陶瓷层，钨粉、氧化铝粉、二氧化硅粉、碳酸钙粉组成过渡层固体粉末，氧化铝粉、二氧化硅粉、碳酸钙粉组成陶瓷层固体粉末，有机溶剂、有机粘结剂制成有机粘结剂，最后将涂覆过过渡层和陶瓷层的钨材料进行高温烧结，使纯钨基体、过渡层和陶瓷层紧密结合在一起，在界面处形成冶金结合，利用预处理工艺对纯钨材料进行表面处理，使其具有一定的表面粗糙度和光洁度，能增大与过渡层的接触面，可以有效地完成纯钨材料的表面绝缘化，达到电气使用条件；得到的涂层为冶金结合态，能有效地形成热传导通道，提高整体部件的热导率。
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