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公开(公告)号：CN112889137A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201980057390.7
申请日：2019-08-30
Applicant: 株式会社UACJ
IPC: H01L21/329 , H01L21/268 , H01L21/363 , H01L21/479 , H01L29/24 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 一种利用半导体制造装置(100)的半导体制造方法，包含：配置步骤，在包含氧化铝的基材(1)的一端配置发生氧化反应的阳极(2)，且在基材(1)的另一端配置发生还原反应的阴极(3)；加热步骤，在使阳极(2)与基材(1)的一端接触，且使阴极(3)与基材(1)的另一端接触的状态下，将基材(1)进行加热而使其熔融；熔融盐电解步骤，在基材(1)的至少一部分熔融的整个期间或者一部分期间，在阳极(2)与阴极(3)之间流通电流来进行熔融盐电解；以及半导体形成步骤，在熔融盐电解步骤之后将基材(1)冷却，形成p型氧化铝半导体层及n型氧化铝半导体层。
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