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公开(公告)号：CN115588617A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210786074.7
申请日：2022-07-04
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括形成电极和形成栅极布线。所述电极形成为通过第一接触孔电连接到包括在半导体衬底中的基极层和杂质区。栅极布线形成为通过第二接触孔电连接到连接布线，并且由能够使氧化膜脱氧的材料制成。通过在栅极布线的形成中或在栅极布线的形成之后对栅极布线进行热处理，对连接布线上形成的氧化膜进行脱氧以将氧从氧化膜去除而进入栅极布线中以去除氧化膜。
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