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发明公开
碳化硅半导体装置及其制造方法有权

公开(公告)号：CN113826213A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202080036895.8

申请日：2020-05-22

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 登尾正人 , 加藤武宽 , 山下侑佑

IPC: H01L29/78 , H01L21/04

Abstract: 通过用外延层构成源极区域(4)，减小基极区域(3)的厚度的不均，抑制阈值Vt的不均。此外，关于栅极沟槽(6)的侧面，在单元部(RC)的外侧，与单元部内的源极区域中的与基极区域相接的由外延层构成的部分相比，相对于衬底(1)的主表面的法线方向倾斜。由此，使得栅极绝缘膜(7)即使在单元部内成为厚度较薄的薄膜部，在单元部的外部也成为厚度较厚的厚膜部。

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