公开(公告)号：CN101019012A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200580030685.3

申请日：2005-09-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 长屋年厚 ,  野野山龙彦 ,  中村雅也 ,  斋藤康善 ,  高尾尚史 ,  本间隆彦 ,  鹰取一雅

IPC: G01L1/16 ,  C04B35/00 ,  H01L41/08 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明提供一种压电传感器，能在较大温度范围内，抑制压电传感器灵敏度的偏差。该压电传感器，包括：通过在压电陶瓷的表面上形成一对电极而成的压电元件；以及，保持上述压电元件的保持部件。上述压电陶瓷满足下述条件(a)及或条件(b)：(a)在温度范围－30～160℃下，热膨胀系数为3.0ppm/℃以上；(b)在温度范围－30～160℃下，热电系数为400μCm－2K－1以下。

公开(公告)号：CN1765797A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510118615.5

申请日：2005-10-31

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 中村雅也 ,  长屋年厚 ,  野野山龙彦 ,  高尾尚史 ,  斋藤康善 ,  本间隆彦 ,  鹰取一雅

IPC: C03C10/00 ,  C03B32/02 ,  H01L41/00

CPC classification number: Y02P40/57

Abstract: 为提供一种具有优异密度的多晶陶瓷体的制备方法而实施了制备步骤、混合步骤、成形步骤和热处理步骤。在制备步骤中制备粗颗粒陶瓷粉末和平均粒径为所述粗颗粒陶瓷粉末平均粒径的1/3或更小的细颗粒粉末。在混合步骤中，粗颗粒陶瓷粉末与细颗粒粉末进行混合，产生原料混合物。在成形步骤中，使原料混合物形成为一种成形体。在热处理步骤中，对成形体进行加热，从而烧结生成多晶陶瓷体。在热处理步骤中实施升温过程和第一保持过程，同时实施第二保持过程和/或冷却过程。在升温过程中，从加热开始升温，在第一保持过程中将成形体保持在温度T1℃。在第二保持过程中，将成形体保持在低于温度T1℃的温度T2℃。在冷却过程中，从温度T1℃开始对成形体以60℃/h或更低的降温速率进行冷却。

公开(公告)号：CN1733650A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510098054.7

申请日：2005-06-17

Applicant: 株式会社电装 ,  株式会社丰田中央研究所

Inventor： 高尾尚史 ,  本间隆彦 ,  斋藤康善 ,  鹰取一雅 ,  野野山龙彦 ,  长屋年厚 ,  中村雅也

IPC: C04B35/495

Abstract: 提供一种能发挥优异压电特性的晶粒取向陶瓷、其制造方法和一种各自使用晶粒取向陶瓷的压电材料、介电材料、热电转化元件和离子传导元件，这里提供的晶粒取向陶瓷包含，以式(1)：{Lix(K1－yNay)1－x}(Nb1－z－wTazSbw)O3，其中x，y，z和w的各自组分范围为0≤x≤0.2、0≤y≤1、0≤z≤0.4、0≤w≤0.2且x+z+w＞0所代表的各向同性钙钛矿型化合物作为主相。该主相包括一个多晶体，其对于每1摩尔式(1)所代表的化合物中含有0.0001－0.15摩尔的任意一种或多种选自属于元素周期表中第2到15族的金属元素、半金属元素、过渡金属元素、贵金属元素和碱土金属元素的附加元素。构成该多晶体的各晶粒的特别晶面是取向的。