公开(公告)号：CN116391240A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202180069657.1

申请日：2021-10-11

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小柳雅史 ,  部田武志 ,  阿部匡矩 ,  杉浦宏介 ,  柳町章麿 ,  小河佑介

IPC: H01B1/00

Abstract: 提供能够形成包含MXene、电阻变化小、并且显现出高导电性的导电性膜的导电性二维粒子。所述导电性二维粒子是包含一个层或者包含一个层和多个层的层状材料的导电性二维粒子，所述层包含层主体和存在于该层主体的表面的修饰或终端T，T是从由羟基、氟原子、氯原子、氧原子以及氢原子构成的组中选择的至少一种，该层主体由以下的式表示，MmXn，式中，M是至少一种第3、4、5、6、7族金属，X是碳原子、氮原子或者它们的组合，n为1以上且4以下，m比n大，且为5以下，Li含有率为0.0001质量％以上且0.0020质量％以下，所述导电性二维粒子的二维面的长径的平均值为1.0μm以上且20μm以下。

公开(公告)号：CN116096669A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180053101.3

申请日：2021-08-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 坂本宙树 ,  小柳雅史 ,  柳町章麿

IPC: B82Y30/00

Abstract: 提供一种导电性二维粒子及其制造方法，氯与溴的含有率在一定以下，适合于无卤素用途，此外不使用粘合剂就能够形成高导电性薄膜。上述导电性二维粒子，是包含1个层、或包含1个层和多个层的层状材料的导电性二维粒子，其中，所述层包括：由下式：MmXn(式中，M是至少一种的第3、4、5、6、7族金属，X是碳原子、氮原子或其组合，n为1以上且4以下，m大于n并在5以下)表示的层主体；存在于该层主体的表面的修饰或末端T(T是从羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子所构成的群中选择的至少一种)，所述层的M与从PO43‑、I和SO42‑所构成的群中选择的至少一种结合，氯与溴的合计含有率为1500质量ppm以下，所述二维粒子的二维面的长径的平均值为1.0μm以上。