公开(公告)号：CN101993243A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010253192.9

申请日：2010-08-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 内藤正浩 ,  城野精一 ,  平田朋孝

IPC: C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B35/20 ,  C04B35/462 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/9623 ,  H01G4/1209

Abstract: 本发明涉及的电介质陶瓷的制作方法，其特征在于，具备：准备第1原料粉末(该第1原料粉末包含电介质陶瓷成分的粉末)的工序；准备第2原料粉末(该第2原料粉末包含化合物(该化合物含有碱金属元素))的工序；将所述第1原料粉末和所述第2原料粉末混合后成形，获得成形体的工序；同时烧制所述成形体和包含碱金属元素的组成物的工序。提供耐湿性高的电介质陶瓷及其制作方法和使用该电介质陶瓷的叠层陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN1306524C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200510003977.X

申请日：2002-01-10

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 内藤正浩

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/00 ,  H01G4/12 ,  H01G4/40 ,  H03H1/02

CPC classification number: C04B35/462 ,  C04B35/468 ,  C04B35/4682 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/129 ,  H01G4/40

Abstract: 一种非还原介电陶瓷，它包含：钨青铜型晶相，它至少是BaRE2Ti4O12型晶相和BaRE2Ti5O14型晶相之一；以及烧绿石晶相，它是RE2Ti2O7型晶相，其中RE是Nd、La和Sm中至少之一，并且其中0.10≤b/(a+b)≤0.90，a是经X射线衍射而得到的钨青铜型晶相的最大峰值强度，b是经X射线衍射而得到的烧绿石型晶相的最大峰值强度。一种陶瓷电子元件，包括由所述非还原介电陶瓷构成的电子元件主体以及与该非还原介电陶瓷相接触的导体。

公开(公告)号：CN1145596C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN01116311.9

申请日：2001-04-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 内藤正浩 ,  元木智雄 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/1245

Abstract: 一种非还原性介电陶瓷，它包括具有钙钛矿晶相并满足式(Cal-a-b-cSraBabMgc)m(Zrl-w-x-y-zTiwMnxNiyHfz)O3的主要组分和用式(Si，T)O2-MO-XO和(Si，T)O2-(Mn，M)O-Al2O3表示的复合氧化物。在Cu Kα X-射线衍射图中在2θ＝25-35°时，非钙钛矿晶相的晶相最大峰的强度与归于钙钛矿晶相的最大峰的强度之比为5%或更小。