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公开(公告)号:CN112469978A
公开(公告)日:2021-03-09
申请号:CN201980047204.1
申请日:2019-03-20
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 运算装置(6)具有颜色评价部(62),该颜色评价部(62)从在第2拍摄环境下拍摄显示物(7)而得到的测量时的拍摄数据分别获取传感器色和4个以上的参考色,基于自运算装置存储部(61)读取的第1拍摄环境下的4个以上的参考色的颜色信息到自拍摄数据获取的第2拍摄环境下的4个以上参考色的颜色信息的变化量,求取第1拍摄环境与第2拍摄环境之间的颜色的变换系数,基于从测量时的拍摄数据获取的传感器色和颜色的变换系数,计算包含表示仿射变换的平移的项的变换式,来将传感器色修正成与在第1拍摄环境下拍摄的情况一致。
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公开(公告)号:CN110914043A
公开(公告)日:2020-03-24
申请号:CN201880046040.6
申请日:2018-03-20
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 一种树脂金属复合体(10),其具备金属构件(2)以及树脂构件(1),该树脂构件(1)与金属构件(2)接合且具有能够对于存在于金属构件(2)表面的官能团可逆地解离和结合的动态共价键。而且,在将金属构件(2)与树脂构件(1)重合之后进行加热,由此得到树脂金属复合体(10)。进而,在树脂金属复合体(10)中,通过对金属构件(2)与树脂构件(1)的接合部分进行加热,将树脂金属复合体(10)解体。
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公开(公告)号:CN1249783C
公开(公告)日:2006-04-05
申请号:CN02126975.0
申请日:2002-07-26
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L29/66537 , H01L21/3003 , H01L21/823807 , H01L29/1083 , H01L29/66545 , H01L29/66621 , H01L29/7834
Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法,更具体地,提供一种低成本的δ掺杂技术,其可防止MOSFET的微细化时产生击穿现象的问题,且不会牺牲器件的特性。为此,使掺杂到半导体衬底中的磷原子偏析于表面,并以该表面层作为δ掺杂层使用。此处所谓偏析是指杂质原子以高于半导体衬底内部的浓度分布在表面附近。
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