公开(公告)号：CN102891506A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210040715.0

申请日：2012-02-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 岩泽宽 ,  本田光利

IPC: H02J7/00

CPC classification number: H01M10/441 ,  H01M2220/10 ,  H02J7/0018

Abstract: 即使在电池串中嵌入有容量彼此不同的电池要素的情况下，也适当地进行与多个电池要素间的充电状态平衡调整相关的充放电控制。SOC探测部(19)各个地分别探测多个电池要素(15)的SOC(充电度)。剩余电荷量运算部(23)基于从满充电容量信息存储部(21)取得的与多个电池要素(15)的满充电容量(Qf1)相关的满充电容量信息、以及由SOC探测部(19)各个地分别探测出的电池要素(15)的SOC，各个地分别运算多个电池要素(15)的剩余电荷量(Qrd)。充放电控制部(27)基于由剩余电荷量运算部(23)各个地分别运算出的多个电池要素(15)的剩余电荷量(Qrd)，使多个电池要素(15)进行各自分别的充电或放电。

公开(公告)号：CN101521213B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200910130270.3

申请日：2007-03-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡边笃雄 ,  本田光利 ,  石塚典男 ,  伊藤昌弘 ,  田畑利仁 ,  栗田信一 ,  神冈秀和

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76264

Abstract: 本发明的半导体集成电路装置具备：在元件形成区域下具有第一绝缘膜的基板、在元件区域所形成的硅的沟槽、第二绝缘膜和第三绝缘膜，通过使第三绝缘膜的膜厚除以第一绝缘膜的膜厚得到之值处于规定范围，可对氧化绝缘膜施加均等的电压。另外，本发明的电介质分离型半导体装置具备元件分离区域。该元件分离区域具有到达SOI基板的绝缘膜的深槽，通过填充n型高杂质浓度层、第二绝缘膜和多晶半导体层来构成该深槽。从而，本发明提供一种对在SOI基板的沟槽内的两端所形成的侧面氧化膜施加均等的电压的结构的集成电路装置、和能够防止作为绝缘层的氧化膜的氧化应力所引起的移位并且实现细微且较深的元件分离区域的高可靠性的电介质分离性半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN1282982C

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN02150222.6

申请日：2002-11-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 日高贵志夫 ,  沼田义道 ,  林原光男 ,  本田光利 ,  内藤孝 ,  儿玉英世

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明的目的在于提供与占空驱动对应的电场发射电子源和其每个元件的尺寸为50纳米以下的电极器件和电极器件的制造方法。本发明的电极器件和电极器件的制造方法的特征在于：通过在基板上对成为碳纳米管生成的催化剂的玻璃进行成膜，可进行纳米级的金属催化剂的形成和离散性控制，一边进行离散控制，一边在其上生成碳纳米管，通过在该纳米管上进行金属覆盖，提高了电脉冲的响应特性。