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公开(公告)号:CN104854412B
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201380063674.X
申请日:2013-10-28
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 财团法人日本精细陶瓷中心
IPC: F24J2/48
CPC classification number: F24S70/30 , F24S21/00 , F24S70/20 , F24S70/25 , G02B1/12 , G02B5/208 , G02B5/26 , Y02E10/40
Abstract: 本发明的课题在于提供一种有助于高效地将光转换为热的光学选择膜。本发明的光学选择膜特征在于,至少包括含Ag层和与含Ag层邻接配置的Ag扩散防止层,Ag扩散防止层含有FeSiX(X=1~2)。
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公开(公告)号:CN105229392A
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201480025449.1
申请日:2014-03-19
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 财团法人日本精细陶瓷中心
IPC: F24J2/48
Abstract: 本发明是含有Cr与Si的元素比为1:1.6~1:4.7的硅化铬的阳光-热转换部件。此外,本发明是具有上述阳光-热转换部件的层和金属层的阳光-热转换层叠体。进而,本发明是具备集光部、利用上述集光部收集阳光的容器和/或流路、以及被收容于上述容器和/或流路内的热介质,且在上述容器和/或流路的表面形成有上述阳光-热转换部件或上述阳光-热转换层叠体的阳光-热转换装置。本发明的阳光-热转换部件、阳光-热转换层叠体及阳光-热转换装置能够将光有效率地转换为热。
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公开(公告)号:CN104854412A
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201380063674.X
申请日:2013-10-28
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 财团法人日本精细陶瓷中心
IPC: F24J2/48
CPC classification number: F24S70/30 , F24S21/00 , F24S70/20 , F24S70/25 , G02B1/12 , G02B5/208 , G02B5/26 , Y02E10/40
Abstract: 本发明的课题在于提供一种有助于高效地将光转换为热的光学选择膜。本发明的光学选择膜特征在于,至少包括含Ag层和与含Ag层邻接配置的Ag扩散防止层,Ag扩散防止层含有FeSiX(X=1~2)。
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公开(公告)号:CN104755854A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201380055454.2
申请日:2013-10-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 一般财团法人日本精细陶瓷中心
IPC: F24J2/48
CPC classification number: F24S70/12 , F24S70/16 , F24S70/20 , H01L31/0256
Abstract: 本发明的课题是提供一种能够有效地将光转换为热的热转换构件。本发明的热转换构件的特征是包含至少1种半导体和至少1种金属材料的复合材料。
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公开(公告)号:CN116181683A
公开(公告)日:2023-05-30
申请号:CN202211466041.0
申请日:2022-11-22
Applicant: 株式会社丰田自动织机
IPC: F04D29/056 , F04D17/10 , F04D25/08 , H02K7/14
Abstract: 本发明提供能使形成于箔轴承的轴承面、被轴承面的涂层的耐久性提高而使箔轴承的产品寿命提高的涡轮式流体机械。涡轮式流体机械具备:具有被轴承面(24g)的旋转体(24);与旋转体(24)一体地旋转而压送外部流体的工作体;收容旋转体(24)及工作体的壳体(11);及具有与被轴承面(24g)相对向的轴承面(60a)并将旋转体(24)支承为能够相对于壳体(11)旋转的箔轴承(60)。在被轴承面(24g)及轴承面(60a)中的至少一方形成有涂层(61)。涂层(61)含有作为树脂粘合剂(61a)的聚酰胺酰亚胺和作为固体润滑剂(61b)的二硫化钼。二硫化钼的含量相对于聚酰胺酰亚胺的含量的质量之比为0.42以上。
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公开(公告)号:CN104487785A
公开(公告)日:2015-04-01
申请号:CN201380038881.X
申请日:2013-10-07
Applicant: 株式会社丰田自动织机
IPC: F24J2/48
CPC classification number: F24S20/61 , G01J5/046 , G01J5/0853 , H01L31/00
Abstract: 本发明的课题是提供能够将光高效地转换成热的热转换构件。本发明的热转换构件,其特征在于,是包含至少1种半导体的热转换构件,半导体的带隙为0.5eV以上、1.2eV以下。
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