公开(公告)号：CN104882433A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201410341174.4

申请日：2014-07-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐佐木遥 ,  山本敦史 ,  久里裕二 ,  松村仁嗣

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/53233 ,  H01L24/26 ,  H01L2224/32225

Abstract: 本发明提供一种能够提高耐热性和机械强度的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体元件；具有含铜的布线层的安装基板；以及接合层，设置在上述半导体元件与上述布线层之间，含有铜和铜以外的金属的合金，上述合金的熔点比上述金属的熔点高。

公开(公告)号：CN102332364A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110219982.X

申请日：2011-07-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 浅利直纪 ,  佐佐木遥 ,  捧浩资 ,  大竹史郎

IPC: H01H33/66 ,  H01H33/664

CPC classification number: H01H33/66207 ,  H01H33/66261 ,  H01H2033/66269 ,  H01H2033/66284

Abstract: 本发明提供一种真空阀，具有真空绝缘容器(1)；被收纳在真空绝缘容器(1)内、接触分离自如的一对触点(6)、(7)；固定安装于触点(6)、(7)的通电轴(4)、(8)；以包围触点(6)、(7)的方式设置的电弧屏蔽件(11)，其中，在通电轴(4)、(8)的外表面及电弧屏蔽件(11)的内表面，设置有由比构成自身的金属的熔点高的金属材料构成的金属被膜(5)、(9)、(12)。