光学写入装置以及图像形成装置

    公开(公告)号:CN110361947B

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN201910270814.X

    申请日:2019-04-04

    IPC分类号: G03G15/04

    摘要: 提供一种光学写入装置以及图像形成装置,能够兼顾图像的高清晰化和副扫描方向的单元尺寸的减小。光学写入装置(100)具备光源基板(200)和光学元件(210),使光源基板(200)的出射光在感光鼓(101)的外周面上成像。光源基板(200)在玻璃基板(202)的与光学元件(210)相对的基板面(202a)上安装有发光点组(201a)以及驱动IC(203a),在基板面(202a)的背侧的基板面(202b)上安装有发光点组(201b)以及驱动IC(203b)。发光点组(201a,201b)均由多个发光点构成,发光点均为OLED。发光点组(201a,201b)在副扫描方向上配设在彼此不同的位置。并且,与发光点组(201b)相比,发光点组(201a)距感光鼓(101)的光轴方向距离短。

    发光装置、光写入装置以及图像形成装置

    公开(公告)号:CN106875887B

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201610969944.9

    申请日:2016-10-26

    摘要: 提供防止TFT的Vsdd‑Id特性和OLED的正向电压Vel的分散引起的光量分散的发光装置、光写入装置以及图像形成装置。在向在TFT的漏极端子上连接了OLED的串联电路施加规定电压而使其发光的装置中,在每次使OLED发光时,估计用于使其以设定光量发光的OLED的正向电压Vel及驱动电流量Id、以及TFT的源极‑漏极电压Vsd,根据TFT的Vsd‑Id特性,决定与驱动电流量Id和源极‑漏极电压Vsd对应的TFT的栅极‑源极电压Vgs。将这样决定的栅极‑源极电压Vgs施加给TFT,能够防止非饱和区域中的Vsd‑Id特性引起的OLED的光量的分散。

    光写入装置以及图像形成装置

    公开(公告)号:CN106886137A

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:CN201611142626.1

    申请日:2016-12-13

    IPC分类号: G03G15/04

    摘要: 提供光写入装置以及图像形成装置,不会导致使用了LTPS TFT的OLED‑PH的大型化、成本上升,能够降低OLED的连续发光所引起的副扫描方向的浓度不均。图像形成装置的控制部针对图像数据的各行,按照每个OLED计时连续发光时间,计时累计发光时间,根据累计发光时间计算劣化度。进而,读出环境温度,取得目标光量,生成与连续发光时间、劣化度、环境温度以及目标光量对应的光量数据。在此,为了防止下垂现象所致的浓度不均,以连续发光时间越长,驱动电流量越多的方式,生成光量数据。依照从控制部接受的图像数据以及光量数据,光写入装置对感光体鼓的外周面进行曝光。