公开(公告)号：CN1708105A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510083705.5

申请日：2005-06-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 河野明启 ,  加藤良章 ,  松田祐二

IPC: H04N5/217

CPC classification number: H04N5/335 ,  H04N5/361 ,  H04N5/378

Abstract: 提供了这样一种成像设备，当将成像设备的晶片厚度制造得很薄时该成像设备能够抑制图像质量和输出特性的退化。所述成像设备具有一个或多个串联输出电路和缓冲电路(6)，并且处理来自光检测器的亮度信号以输出图像信息，所述缓冲电路对从一个或多个输出电路的末级输出电路中输出的信号执行阻抗变换，所述末级输出电路是具有有源元件和插入在该有源元件的源极端子和基准电压端子之间的电流源电路(5)的源极跟随电路，其中所述电流源电路(5)和缓冲电路(6)都位于具有光检测器的固态图像传感器(1)之外，并且电流源电路(5)的主要部分和缓冲电路(6)主要部分都在单个封装件中。

公开(公告)号：CN1516239A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03103491.8

申请日：1997-05-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田由佳 ,  吉田岳人 ,  武山茂 ,  松田祐二 ,  武藤胜彦

IPC: H01L21/203 ,  H05B33/00 ,  H01L33/00 ,  H01L31/08

CPC classification number: H01L33/26 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/18 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/258

Abstract: 一种光电子材料，它包括具有可控电学特性的均匀介质；以及分布于该介质中且平均微粒尺寸为100nm或更小的半导体特细微粒，本发明还涉及使用该材料的应用器件。本发明也涉及光电子材料的制造方法，通过用激光辐射置于处在低压惰性气体环境下的反应室中一种半导体材料的第一靶以及置于该反应室中具有可控电学特性的第二靶，在置于反应室中的衬底上，凝聚/生长从第一靶烧蚀的半导体材料，以集中成为平均微粒尺寸为100nm或更小的特细微粒。

公开(公告)号：CN1152558C

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN00101200.2

申请日：1994-06-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菰渕宽仁 ,  松田祐二

IPC: H04N5/335

CPC classification number: H04N5/235 ,  H01L27/14806 ,  H04N5/353 ,  H04N5/35554 ,  H04N5/35581 ,  H04N5/372 ,  H04N5/3728

Abstract: 一种固体摄像装置。它在视频信号的一帧或一场内设置两种信号充电周期，其中一种短于另一种；判定所述较长信号充电周期间来自输入信号变换部分的信号是否饱和；当所述信号饱和时，不用所述较长信号充电周期间而是用所述较短信号充电周期间来自该输入信号变换部分的信号测定输入的光量；且当所述信号未饱和时，不用所述较短信号充电周期间而是用所述较长信号充电周期间的信号测定该输入的光量。

公开(公告)号：CN1146078A

公开(公告)日：1997-03-26

申请号：CN96110466.X

申请日：1996-05-29

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 石川克也 ,  黑田隆男 ,  松田祐二 ,  庭山雅彦 ,  立川景士

IPC: H01L31/14 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L27/14825

Abstract: 本发明提供一种具备即使将象素部微细化，也不会导致垂直CCD部的转移电荷量降低的器件构造的固体摄象器件及其制造方法。在N(100)硅衬底1上形成第1p型阱2和第2p型阱3、在第2p型阱3内形成垂直CCDn+层4后，在包括垂直CCDn+层4的上层部的N(100)硅衬底1的表面层用杂质原子(p、As)离子注入形成p-层5，在垂直CCDn+层4的邻接部同时形成进行光电二极管部(8、9)与垂直CCDn+层4隔离的隔离部(5a)以及控制从垂直CCDn+层4的电荷读出的读出控制部5b。

公开(公告)号：CN1124431A

公开(公告)日：1996-06-12

申请号：CN95115053.7

申请日：1995-08-08

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 松田祐二 ,  庭山雅彦

IPC: H04N1/00

CPC classification number: H01L27/14887

Abstract: 本发明提供一种在电视摄像机等中所使用的固态摄像装置及其制造方法。在传送部25的下方通过P型掺杂层24而形成用于排出电荷的n型埋入泄漏部30。由用于控制阈值电压(Vt)的P型读出控制部26分隔受光部22和传送部25之间的读出侧；由沟道截断环27来分隔非读出侧。在受光部22和传送部25上形成绝缘膜28，通过导电型电极29从传送部25读出受光部22的电荷。为了防止暗电流，在受光部22和绝缘膜28的界面上形成P型埋入扩散层23。