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公开(公告)号：CN102077689A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201080001855.6
申请日：2010-02-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L27/3246 , H01L51/5218 , H01L2251/5315 , H05B33/145
Abstract: 在有机EL元件(100a～100c)的各元件中，在基板(101)上依次层叠形成有阳极(102)、包含电荷注入输送层(103)和有机发光层(105)的功能层、阴极(107)，有机发光层(105)的形状由堤(104)规定。在这里，空穴注入输送层(103)为将由金属层构成的阳极(102)的表面氧化而成的金属氧化物层。另外，空穴注入输送层(103)形成为由堤(104)规定的区域下沉的凹入结构(凹部结构(103a))，凹部结构(103a)的凹部边缘(103c)由堤(104)的一部分(被覆部(104d))被覆。
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公开(公告)号：CN1788355A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200580000408.8
申请日：2005-01-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0512 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管，该场效应晶体管包括：包含有机物质的半导体层(15)，以及至少电路上互不接触的第一电极(16)、第二电极(12)和第三电极(14)。第一电极(16)配置在半导体层(15)的上面，第二电极(12)配置在半导体层(15)的下面，第三电极(14)则配置在半导体层(15)的侧面。半导体层(15)与选自第一电极(16)、第二电极(12)和第三电极(14)的两个电极电连接，而电绝缘层(13、17)插入在电极(12、14、16)之间。第一电极(16)位于半导体层(15)的上方以便延伸超出半导体层(15)的外围。通过这样构造，有可能提供一种场效应晶体管以及使用这种场效应晶体管的显示器件，该场效应晶体管具有高度的耐氧和耐水性能，因此即使其中使用有机半导体，仍具有长的寿命。
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公开(公告)号：CN1198358C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN99120864.1
申请日：1999-09-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01P1/387
Abstract: 本发明涉及一种非互易电路元件，通过利用至少具有铁氧体(34)、传输线(31、32和33)以及电容器(21)的电路装置，在单一方向上发送信号，或循环发送信号，并具有：将信号传送至一外部单元和传送来自一外部单元信号的至少两个外部输入/输出端(11和12)，以及用于接地的至少一个外部接地端(13、14和15)，其中，外部接地端中至少之一(13)设置在至少一组外部输入/输出端(11和12)之间。
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公开(公告)号：CN1181595C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN00104118.5
申请日：2000-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01P1/36
CPC classification number: H01P1/387
Abstract: 本发明的不可逆电路元件具备有磁性的基板、与基板相对设置的磁体、设置于基板近旁，多条带状线路相互电绝缘，形成迭层的带状线路集合体、与该集合体连接的电容器，及至少容纳基板、磁体及带状线路集合体的容器，其外形尺寸为：2.5mm＜长度L1＜7.0mm；2.5mm＜宽度L2＜7.0mm；1.0mm＜厚度L3＜3.5mm。且垂直于与基板面平行的面的该基板的投影面积S1/(L1×L2)＝0.1～0.78。磁体厚度L4/L3＝0.2～0.5，S1与垂直于与磁体面平行的面的该磁体的投影面积S2之比S1/S2＝0.15～0.83。
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公开(公告)号：CN1497626A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310100788.5
申请日：2003-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的陶瓷电容器中，由导电体形成的第1导体图形(31)和第2导体图形(30)以夹着电介质层(42)的方式相对设置；上述第1导体图形(31)和上述第2导体图形(30)的面积不同，上述第2导体图形(30)的面积小；在上述第1导体图形(31)和上述第2导体图形(32)重叠的部分形成电容部的陶瓷电容器，其中，在上述第2导体图形(30)的两端边缘，由上述导电体形成了相互朝相反的方向延伸的第1延长部(301)和第2延长部(302)。这样，就能够提供能够减小由于绿板的叠层偏移引起的电容值偏差的陶瓷电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1479405A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN03133036.3
申请日：2003-06-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 根据本发明的一种不可逆电路元件包含至少三个中心电极，重叠并布置成相互交叉。提供了与与中心电极的一端并联的电容器。提供了连接到中心电极的另一端并至少一个接一个地布置在中心电极之间的接地电极。提供了分别布置在中心电极和接地电极之间的电隔离层。提供了布置在中心电极附近的铁氧体件。提供了将直流磁场施加到铁氧体件上的磁体。提供了与铁氧体件和磁体结合从而构成磁路的轭材料。根据本发明，由于接地电极至少一个接一个地设在中心电极之间，电隔离层分别设在中心电极和接地电极之间，所以，可以实现小型化和批量生产而不使电性能变差。
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公开(公告)号：CN103646959A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310591394.8
申请日：2010-02-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0018 , H01L51/5048 , H01L51/56
Abstract: 本发明的目的在于提供对发光层高精细地进行图案形成且可以低成本地制造的发光元件及其制造方法，为了达到该目的，关于将第1电极（2）、电荷注入输送层（4）、发光层（6）、第2电极（8）按该顺序层叠且至少对所述发光层（6）通过堤栏（5）进行规定的发光元件，设定为下述结构的发光元件：所述堤栏（5）至少其表面为拨液性，另一方面，所述电荷注入输送层（4）包含与所述堤栏（5）的表面相比较具有亲液性的金属化合物；并且所述电荷注入输送层（4）在以堤栏（5）规定的区域形成为与堤栏底面（5a）的水平相比下沉的凹入结构。
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公开(公告)号：CN102714901A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080039215.4
申请日：2010-07-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 竹内孝之
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/326 , H01L51/0005
Abstract: 本发明提供一种不必提高在有机发光层中流动的电流密度而能够实现高辉度化的有机EL显示面板。该有机EL显示面板具备：基板；TFT层，其形成于基板上；平坦化膜，其形成于TFT层的上方，并设置有接触孔5；多个下部电极，其在平坦化膜的上方以像素为单位形成为行列状，并经由接触孔与TFT层导通；堤，其形成于平坦化膜的上方，并具有与多个下部电极对应的多个开口部17；有机发光层，其形成于多个开口部17；和上部电极，其形成于有机发光层的上方，接触孔5存在于在列方向上排列的各开口部17之间，在列方向上相对的开口部17的端部17a、17b的至少一方，具有在行方向上宽度变窄并且在列方向上向着与接触孔在行方向相邻的区域延长的形状。
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公开(公告)号：CN102308405A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201080007063.X
申请日：2010-02-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0018 , H01L51/5048 , H01L51/56
Abstract: 本发明的目的在于提供对发光层高精细地进行图案形成且可以低成本地制造的发光元件，为了达到该目的，关于将第1电极(2)、电荷注入输送层(4)、发光层(6)、第2电极(8)按该顺序层叠且至少对所述发光层(6)通过堤栏(5)进行规定的发光元件，设定为下述结构的发光元件：所述堤栏(5)至少其表面为拨液性，另一方面，所述电荷注入输送层(4)包含与所述堤栏(5)的表面相比较具有亲液性的金属化合物；并且所述电荷注入输送层(4)在以堤栏(5)规定的区域形成为与堤栏底面(5a)的水平相比下沉的凹入结构。
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公开(公告)号：CN100487919C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200480033200.1
申请日：2004-07-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0012 , H01L51/0036 , H01L51/0052 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的薄膜晶体管(100)具有半导体层(14)和在上述半导体层上相互相对地分离设置的源极区域(15)和漏极区域(16)，上述半导体层具有π共轭类有机半导体分子作为主成分，将上述π共轭类有机半导体分子取向，使得π轨道实质上相对、并且主链的分子轴相对于在上述半导体层中形成的沟道中的电场方向倾斜。
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