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公开(公告)号：CN102084022B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200980125968.4
申请日：2009-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/246 , C23C14/20 , C23C14/562 , H01M4/0421 , H01M4/1395 , H01M6/40 , H01M10/052
Abstract: 使从蒸发源(9)飞来的粒子在真空中的规定的成膜位置(33)沉积于基板(21)上使得在基板(21)上形成薄膜。在使含有薄膜的原料的块状材料(32)在蒸发源(9)的上方熔化的同时，将熔化了的材料以液滴(14)的形式向蒸发源(9)供给。作为块状材料(32)，使用内包有多个孔隙的硅材料(32)。优选孔隙具有比大气压低的平均内部压力。更优选平均内部压力为0.1大气压以下。
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公开(公告)号：CN101946021B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200980105706.1
申请日：2009-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C16/466
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置。该薄膜形成装置(100)具有：真空槽(1)；设置在真空槽(1)内并向面对成膜源(27)的规定成膜位置(4)供给长条的衬底(8)的衬底输送机构(40)；环形带(10)，其能够与由衬底输送机构(40)进行的衬底(8)的供给相对应地运行，并以在直线输送中的衬底(8)的表面上形成薄膜的方式沿着环形带(10)自身的外周面限定成膜位置(4)处的衬底(8)的输送路径；形成在环形带(10)上的贯通孔(16)；衬底冷却单元(30)，其从运行中的环形带(10)的内周侧通过贯通孔(16)向环形带(10)和衬底(8)的背面之间导入冷却气体。
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公开(公告)号：CN101889103B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200880119323.5
申请日：2008-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/562 , G11B5/85
Abstract: 本发明的提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法。在使用气体冷却的成膜方法中，达成充分的冷却效果，并且避免气体导入引起的成膜率的降低和对真空泵的过大的负荷。本发明的薄膜形成装置包括在薄膜形成区域(14)中接近基板(7)的背面配置的冷却体(10)；将气体向冷却体(10)与基板(7)的背面之间导入的气体导入机构；接近基板(7)的背面，将薄膜形成区域(14)分割为第一薄膜形成区域(14a)和成膜速度比第一薄膜形成区域(14a)低的第二薄膜形成区域(14b)，且维持冷却体(10)与基板(7)的间隙的间隙维持机构(11)。冷却条件被设定为第一区域(14a)的冷却量比第二区域(14b)的冷却量大。
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公开(公告)号：CN101668701B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200880014009.0
申请日：2008-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01B33/037 , C23C14/14 , C23C14/24
CPC classification number: C01B33/037
Abstract: 一种金属硅的精制方法，其中准备金属硅，该金属硅含有1000ppm～10000ppm的重量比的铝且硅的浓度为98重量％～99.9重量％；和在压力为100Pa～1000Pa的惰性气氛中将所述金属硅加热到1500℃～1600℃并保持一定时间。
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公开(公告)号：CN102224620A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201080003312.8
申请日：2010-01-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/139 , H01G9/058 , H01M4/13 , H01M4/134 , H01M4/1395
CPC classification number: H01M4/485 , H01G11/28 , H01G11/50 , H01G11/70 , H01G11/86 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/1395 , Y02E60/13 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供电化学元件用电极的制造方法、电化学元件用电极和电化学元件，其涉及制造电化学元件用电极，能够提供容易且可靠地除去在真空中生成的、活性物质层表面的突起物的方法。在电化学元件用电极的制造中，进行在集电体上通过真空处理形成能够吸藏和放出锂的活性物质层的第一工序；使上述活性物质层吸藏锂的第二工序；和将上述吸藏了锂的活性物质层表面的突起物除去的第三工序。
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公开(公告)号：CN109155442A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780032592.7
申请日：2017-05-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M10/0585 , H01M10/04 , H01M10/052
Abstract: 二次电池具有电极体，该电极体包括：电极组，其为多个，各电极组分别含有多个正极、多个负极以及至少1个隔膜，各正极和各负极隔着隔膜交替地层叠在一起；以及金属板，其为至少1个，配置于各电极组之间。配置于各电极组的两端的电极是负极。以与构成至少1个电极组的负极的复合材料层接触并且不与除该复合材料层以外的导电性构件接触的状态设置金属板。
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公开(公告)号：CN102933333B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201280001565.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B22D11/045 , C01B33/02 , C03B19/02
Abstract: 铸模（13）具有用于接受熔融金属（2）的凹部（21）。凹部（21）由用于与熔融金属（2）接触而使熔融金属（2）向凝固物变化的内壁面（29）构成，并且朝向凝固物的拉拔方向（D1）开口。第1轮廓线（23p）和第2轮廓线（25p）的曲线在开始点（43）及（45）的位置具有尖点。宽度方向（D2）上的从第1轮廓线（23p）到第2轮廓线（25p）的距离，随着从拉拔方向（D1）的上游侧向下游侧前进而连续地增加。确定凹部（21）处的内壁面（29）的形状，以使铸造棒（3）能够以通过第1结束点（33）或第2结束点（35）并与铸模（13）的截面垂直的轴为中心，沿顺时针方向或逆时针方向旋转移位。
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公开(公告)号：CN103282143A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062928.7
申请日：2011-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B22D11/045 , B22D11/07 , C23C14/30 , C23C14/564 , C30B11/001
Abstract: 本发明的铸造方法包括：通过一边在铸模（25）内使原料凝固一边从铸模（25）将原料沿水平方向连续地拉拔来铸造原料的铸造棒（31）的工序；向铸造棒（31）与铸模（25）之间的间隙导入气体的工序；和对铸模（25）内的铸造棒（31）的上表面进行加热的工序。具体地讲，能够从在铸模（25）的壁面（25a、25b）设置的孔（33）向间隙导入气体。铸造棒（31）的原料例如是伴随从液相向固相的相变而体积增加的材料。
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公开(公告)号：CN102933333A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201280001565.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B22D11/045 , C01B33/02 , C03B19/02
Abstract: 铸模（13）具有用于接受熔融金属（2）的凹部（21）。凹部（21）由用于与熔融金属（2）接触而使熔融金属（2）向凝固物变化的内壁面（29）构成，并且朝向凝固物的拉拔方向（D1）开口。第1轮廓线（23p）和第2轮廓线（25p）的曲线在开始点（43）及（45）的位置具有尖点。宽度方向（D2）上的从第1轮廓线（23p）到第2轮廓线（25p）的距离，随着从拉拔方向（D1）的上游侧向下游侧前进而连续地增加。确定凹部（21）处的内壁面（29）的形状，以使铸造棒（3）能够以通过第1结束点（33）或第2结束点（35）并与铸模（13）的截面垂直的轴为中心，沿顺时针方向或逆时针方向旋转移位。
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