公开(公告)号：CN1282378C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN00117922.5

申请日：2000-05-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻森正彦 ,  本吉要 ,  多良胜司

IPC: H04Q7/32 ,  H03G3/10

CPC classification number: H03G1/007 ,  H03G3/3042 ,  H04W52/10 ,  H04W52/52

Abstract: 为了通过使用单个控制电压达到在70dB或更大的宽范围内的线性增益控制(±1dB平坦度)，在蜂窝移动电话终端的发射机的射频部分提供了以下结构的衰减器。也就是，对于射频信号的信号输入部分(34)和信号输出部分(35)由包含至少两个串联可变电阻(51和52)的信号线(55)连接；并联可变电阻(53和54)分别被连接在地线(57)和信号输入部分(34)与信号输出部分(35)之间；增益控制线被连接到可变电阻(51，52，53，和54)；参考电压加入部分(23，27，31，和33)分别被连接到(51，52，53，和54)；以及增益控制电压加入部分(19)通过增益控制线(56)被连接到每个可变电阻(51，52，53，和54)。

公开(公告)号：CN1577954A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062927.4

申请日：2004-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻森正彦 ,  高木恒洋 ,  中山雅央 ,  本吉要

IPC: H01P1/22 ,  H04B1/04 ,  H04B7/26

CPC classification number: H03G3/3042

Abstract: 具有与信号线A连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的串联可变电阻及在信号输出部A与基准电位部GND之间连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的并联可变电阻，还具有与信号线A并联设置的信号线B所连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的串联可变电阻及在信号输出部B与基准电位部GND之间连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的并联可变电阻。

公开(公告)号：CN1275874A

公开(公告)日：2000-12-06

申请号：CN00117922.5

申请日：2000-05-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻森正彦 ,  本吉要 ,  多良胜司

IPC: H04Q7/32 ,  H03G3/10

CPC classification number: H03G1/007 ,  H03G3/3042 ,  H04W52/10 ,  H04W52/52

Abstract: 为了通过使用单个控制电压达到在70dB或更大的宽范围内的线性增益控制(±1dB平坦度),在蜂窝移动电话终端的发射机的射频部分提供了以下结构的衰减器。也说是,对于射频信号的信号输入部分(34)和信号输出部分(35)由包含至少两个串联可变电阻(51和52)的信号线(55)连接;并联可变电阻(53和54)分别被连接在地线(57)和信号输入部分(34)与信号输出部分(35)之间;增益控制线被连接到可变电阻(51,52,53和54);参考电压加入部分(23,27,31,和33)分别被连接到(51,52,53,和54);以及增益控制电压加入部分(19)通过增益控制线(56)被连接到每个可变电阻(51,52,53和54)。