公开(公告)号：CN102859735A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019864.2

申请日：2011-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川纯矢 ,  山内规裕 ,  松岛朝明 ,  相泽浩一

IPC: H01L41/113 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01J5/04 ,  G01J5/34 ,  H01L41/08

CPC classification number: H01L41/1136 ,  B81B2201/032 ,  B81C1/00658 ,  G01J5/04 ,  G01J5/046 ,  G01J5/34 ,  G01P15/09 ,  G01P2015/0828 ,  H01L37/02 ,  H01L41/0815 ,  H02N2/186

Abstract: 一种强电介质器件，具备：下部电极（第1电极）（14a），形成在硅基板（第1基板）（10）的一表面侧；强电介质膜（14b），形成在下部电极（14a）的与第1基板（10）侧相反的一侧；以及上部电极（第2电极）（14c），形成在强电介质膜（14b）的与下部电极（14a）侧相反的一侧，强电介质膜（14b）由与硅之间存在晶格常数差的强电介质材料形成。在下部电极（14a）的正下方设置有缓冲层（14d），缓冲层（14d）由与强电介质膜（14b）之间的晶格匹配性比硅好的材料形成，在第1基板（10）上形成有空洞（10a），该空洞（10a）使缓冲层（14d）的与下部电极（14a）侧相反的一侧的表面露出。