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发明公开
结型半导体装置及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1838435A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610065381.7

申请日：2006-03-23

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 野中贤一 , 桥本英喜 , 横山诚一 , 岩永健介 , 齐藤吉三

IPC: H01L29/808 , H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7722 , Y10S438/931

Abstract: 结型半导体装置及其制造方法。本发明的结型半导体装置具有：由形成于半导体晶体的一个面上的第一导电型的低电阻层构成的漏区(11)；由形成于半导体晶体的另一面上的第一导电型的低电阻层构成的源区(12)；形成于源区(12)周围的第二导电型的栅区(13)；以及源区(12)和漏区(11)之间的第一导电型的高电阻层(14)。在栅区(13)和源区(12)之间的半导体晶体的表面附近设有第二导电型的复合抑制半导体层(16)。

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