一种新型核磁管
    11.
    实用新型

    公开(公告)号:CN212180662U

    公开(公告)日:2020-12-18

    申请号:CN201922252423.3

    申请日:2019-12-16

    Abstract: 本实用新型涉及一种新型核磁管,属于分析测试仪器技术领域。该新型核磁管主要由核磁管管体、管帽和氘代试剂密封管组成,氘代试剂密封管设置于核磁管管体内部,氘代试剂密封管固定在核磁管管体底部,氘代试剂密封管与核磁管管体中心同轴,氘代试剂密封管内装有氘代试剂。将氘代试剂直接密封在氘代试剂密封管内,管体和密封管之间的腔体直接滴加溶液后可直接进行核磁共振测试,该核磁管结构使易水解、易与氘代试剂反应的活泼物质可以进行高质量核磁共振测试。本实用新型结构简单,易于制作,应用广泛。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种化学反应系统
    12.
    实用新型

    公开(公告)号:CN211837812U

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201922307620.0

    申请日:2019-12-20

    Abstract: 本实用新型涉及一种化学反应系统,具体涉及一种可以定量量取高活性反应物的化学反应系统,属于化学合成装置领域。该系统包括高活性反应物源、高活性反应物量取器、反应釜、真空泵、手动截止阀、三通连接阀和转接头等,高活性反应物源、高活性反应物量取器和反应釜分别通过管路与三通连接阀的三个支口相连,高活性反应物源与三通连接阀支口之间的管路上设置手动截止阀,高活性反应物量取器或反应釜与三通连接阀支口之间的管路上设置转接头和手动截止阀,真空泵经过手动截止阀与反应釜之间通过管路连接。该化学反应装置可提供惰性化学反应环境、精确量取反应物量,同时操作简单、安全,反应准确,副反应少,具有较大商业价值。

    一种薄膜光谱反应池
    13.
    实用新型

    公开(公告)号:CN210626304U

    公开(公告)日:2020-05-26

    申请号:CN201921192381.2

    申请日:2019-07-26

    Abstract: 本实用新型公开了光谱分析技术领域的一种薄膜光谱反应池。所述薄膜光谱反应池包括反应池密封盖和反应池主体,反应池主体是由第一挡板、第二挡板、第三挡板、第四挡板、薄膜材料固定板围成的立方体,第二挡板为反应池主体的底板,第一挡板、第三挡板、第四挡板与薄膜材料固定板为反应池主体的四壁,薄膜材料固定板高度超出反应池主体高度,用于配合光谱仪安装固定,薄膜材料固定板上有卡槽位,卡槽位内固定薄膜材料。本实用新型在薄膜材料与气体或液体进行化学反应的同时对薄膜材料的荧光光谱、紫外可见光谱等光学性质进行实时连续监测,本实用新型操作简单、安全,在薄膜荧光传感器、薄膜光敏太阳能电池等方面具有较大商业价值。

    一种新型层析装置
    14.
    实用新型

    公开(公告)号:CN210751396U

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201921193489.3

    申请日:2019-07-26

    Abstract: 本实用新型公开了材料处理和提纯技术领域的一种新型层析装置。所述层析装置包括层析柱、储液球和锥形瓶,柱身为中空的圆柱形管体,柱身上、下端分别连接层析柱上磨口和出液管,底部固定安装砂板,出液管上部安装第一节门塞,出液管下部安装出液口平衡气压装置;出液口平衡气压装置的磨口玻璃套管侧上部连接第一咀支管,第一咀支管上安装第二节门塞,锥形瓶上磨口与磨口玻璃套管可拆卸连接;储液球的瓶身顶部和底部中心设置储液球上、下磨口,储液球下磨口与层析柱上磨口可拆卸连接,瓶身侧上方设置进液口平衡气压装置;柱层析过程中通过进、出液口平衡气压装置外接惰性气体,避免高活性物质因接触空气而变质,提高提纯效率,改善分离效果。

    一种有机半导体材料溶剂退火炉

    公开(公告)号:CN210420258U

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201921192358.3

    申请日:2019-07-26

    Abstract: 本实用新型公开了有机半导体材料加工技术领域的一种有机半导体材料溶剂退火炉。所述退火炉由溶剂退火炉密封盖和溶剂退火炉主体两部分组成。其中,溶剂退火炉密封盖包括上、下连接的容器密封层和容器固定层,容器固定层底侧设置基底固定凹槽,用于固定样品基底,溶剂退火炉主体为四个侧板和一个底板围成的立方体,四个侧板中的一个或多个的外表面标有溶剂体积刻度。本实用新型可以对使用旋涂法沉积在基底表面的有机半导体分子在溶剂气氛下退火,进行分子构象和排布方面的优化,并精确控制退火条件获得更加优异的半导体性能。本实用新型操作简单、安全,尤其在有机半导体材料实验室研发和工业化生产等方面具有较大商业价值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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