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公开(公告)号：CN110295354A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910716179.3
申请日：2019-08-05
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属氧化物薄膜的直流反应磁控溅射沉积方法，包括如下步骤：将安装有过渡金属靶的阴极连接到外部直流电源，设定合适的沉积条件，开启直流电源产生等离子体；逐步增加或者减少进入真空溅射腔室内的反应气体流量，获得一条关于靶电压和反应气体流量的特定关系曲线；根据所述关系曲线将反应气体零点至靶电压最高点的反应溅射区域划分为金属区，将靶电压最高点之后的反应溅射区域划分为金属氧化物区，靶电压最高点对应的反应气体流量为拐点反应气体流量，在拐点反应气体流量附近获得由多个工艺参数共同决定的工作点；在该工作点下进行反应磁控溅射沉积从而制备获得性能优异的过渡金属氧化物材料。本发明涉及薄膜制备技术领域。
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公开(公告)号：CN110212098A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910402820.6
申请日：2019-05-15
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L51/48
Abstract: 本发明属于材料制备工艺领域，公开了一种钙钛矿多晶薄膜的印刷制备方法。本发明首先在钙钛矿前驱体溶液中加入适量添加剂得到混合溶液，然后在低温条件下将混合溶液印刷在基底上，形成一层前驱体湿膜，再将前驱体湿膜通过抽真空，形成中间相钙钛矿薄膜，最后经热退火处理，得到结晶度高、均一性良好的钙钛矿多晶薄膜。该方法通过添加剂的加入实现了对晶体质量和薄膜形貌的有效调控，且该方法具有广泛普适性可以拓展到Cs基全无机钙钛矿、FA基钙钛矿或含有FA/Cs混合钙钛矿，以及Pb/Sn混合钙钛矿等多种不同组分钙钛矿薄膜的制备。该方法简单易行，有助于实现钙钛矿电池和钙钛矿其他器件的大面积制备和产业化生产。
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公开(公告)号：CN107452835B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201710568784.1
申请日：2017-07-13
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/477
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种CdTe薄膜的热处理方法。该热处理方法是将CdTe薄膜置于含磷环境中进行热处理；所述的CdTe薄膜包括CdTe单层薄膜和含CdTe的叠层薄膜；所述的含磷环境为在CdTe薄膜热处理过程中保持含磷材料的存在，可以将含磷材料存在于环境气氛中，也可以将含磷材料直接沉积在CdTe薄膜表面；所述的热处理的温度为300℃～450℃，热处理的时间为5～10分钟。利用本发明的热处理方法能显著改善CdTe薄膜的电学性能；将经过热处理的CdTe薄膜应用于CdTe薄膜太阳电池，能显著提高CdTe薄膜太阳电池的光电性能。
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公开(公告)号：CN108493296A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810228188.3
申请日：2018-03-20
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明属于光伏新能源材料与器件领域，公开了一种柔性CdTe薄膜太阳电池及其制备方法和应用。本发明通过开始时引入临时金属衬底沉积电池功能层，并在电池制备结束后刻蚀掉临时金属衬底薄层的方式，使得能够在临时金属衬底上采用成熟的上基板结构CdTe电池制备工艺获得下基板结构的柔性CdTe太阳电池，避免了下基板结构电池制备中由于功能层沉积顺序导致的背接触制备、Cu掺杂、CdS/CdTe热处理等的技术限制，有利于实现电池制备技术的最优化。
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公开(公告)号：CN107452835A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710568784.1
申请日：2017-07-13
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/477
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1828 , H01L21/477
Abstract: 本发明公开了一种CdTe薄膜的热处理方法。该热处理方法是将CdTe薄膜置于含磷环境中进行热处理；所述的CdTe薄膜包括CdTe单层薄膜和含CdTe的叠层薄膜；所述的含磷环境为在CdTe薄膜热处理过程中保持含磷材料的存在，可以将含磷材料存在于环境气氛中，也可以将含磷材料直接沉积在CdTe薄膜表面；所述的热处理的温度为300℃～450℃，热处理的时间为5～10分钟。利用本发明的热处理方法能显著改善CdTe薄膜的电学性能；将经过热处理的CdTe薄膜应用于CdTe薄膜太阳电池，能显著提高CdTe薄膜太阳电池的光电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117119817A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310948129.4
申请日：2023-07-31
Applicant: 暨南大学 , 广东脉络能源科技有限公司
Abstract: 本申请涉及钙钛矿光伏器件领域，尤其是一种利用氟化物纳米颗粒进行界面钝化的钙钛矿光伏器件及其制备方法。利用氟化物纳米颗粒进行界面钝化的钙钛矿光伏器件包括玻璃基板、透明电极层、第一界面层、钙钛矿层、第二界面层界、背电极层，还包括位于第一界面层、钙钛矿层之间和/或位于第二界面层、钙钛矿层之间的氟化物纳米颗粒非致密层，不能完全阻隔钙钛矿层和第一界面层和/或第二界面层接触。本申请中的纳米氟化物具有很好的绝缘性，且与钙钛矿之间的界面缺陷少。本申请将纳米氟化物颗粒合理分散在钙钛矿层和第一界面层和/或第二界面层之间时，可以有效减少钙钛矿层和界面层的接触面积，减少非辐射复合提升器件性能，有利于实现高效率器件。
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公开(公告)号：CN115124747B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210894521.0
申请日：2022-07-27
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于制备钙钛矿太阳能电池的反溶剂，包括乙酸乙酯和聚甲基丙烯酸甲酯；所述聚甲基丙烯酸甲酯的含量为0.1～0.4mg/mL。本发明还发明公开了一种钙钛矿‑PMMA复合薄膜的制备方法，在采用钙钛矿前驱体制备钙钛矿薄膜的过程中，采用上述的用于制备钙钛矿太阳能电池的反溶剂进行反溶剂处理，热处理后得到钙钛矿‑PMMA复合薄膜。本发明同时公开了一种钙钛矿太阳能电池，包括上述的钙钛矿‑PMMA复合薄膜。本发明的用于制备钙钛矿太阳能电池的反溶剂，PMMA能同时占据钙钛矿薄膜晶界和“埋底界面”孔隙，有效钝化钙钛矿薄膜和减少界面非辐射复合，最终提升了钙钛矿太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN115084391A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210889273.0
申请日：2022-07-27
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种空穴界面梯度结构的钙钛矿太阳能电池，依次包括透明导电膜FTO、具有界面梯度结构的空穴传输层、Al2O3薄膜层和钙钛矿复合薄膜层；所述空穴传输层依次包括锂掺杂氧化镍薄膜层、氧化镍薄膜层和聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]薄膜层；所述钙钛矿薄膜为F4‑TCNQ‑(OAm)2PbI4‑FA0.93MA0.07Pb(I0.79Br0.07Cl0.14)3。本发明还公开了钙钛矿前驱体溶液、一种钙钛矿复合薄膜层及其制备方法。本发明有效解决了反式平面结构钙钛矿太阳电池中光诱导产生的空穴传输到透明导电膜FTO较高势垒及界面间能级不匹配的问题。
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公开(公告)号：CN109638167B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910032401.8
申请日：2019-01-14
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂8‑羟基喹啉金属配合物钙钛矿型太阳能电池及其制备方法，该8‑羟基喹啉金属配合物钙钛矿型太阳能电池，包括自下而上依次层叠设置的FTO层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、BCP层和电极，所述钙钛矿层为经过掺杂8‑羟基喹啉金属配合物得到的钙钛矿层，所述掺杂后的钙钛矿层材料为Cs0.17(NH2CH＝NH2)0.83PbI3和CH3NH3PbI3中的至少一种。该太阳能电池掺杂材料价格低廉，操作方法简便，容易控制；它增大了器件的短路电流、填充因子和开路电压，为钙钛矿太阳能电池的稳定性和转化效率的研究提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN112681166B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011412950.7
申请日：2020-12-03
Applicant: 广州北环智能交通科技有限公司 , 暨南大学 , 浙江合特光电有限公司
Abstract: 本申请涉及一种光伏防眩板，包括框架和设置在框架内的光伏组件，所述框架外侧壁安装有电致变色板，在所述框架上还设置有光强感应器和连接于光强感应器输出端的电源控制器，所述电源控制器连接于电致变色板且预设有变色阈值；当光强感应器输出至电源控制器的检测信号大于或等于阈值，则电源控制器控制电致变色板呈透光态；当光强感应器输出至电源控制器的检测信号小于阈值，则电源控制器控制电致变色板转变为遮光态。该光伏防眩板不但日间可输出较大的电能，而且可以在夜间采集车灯光线进行发电。
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