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公开(公告)号:CN105895123A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201610088013.8
申请日:2016-02-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/725
CPC classification number: G11B5/725
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁记录再现装置。提供可以有效地防止磁记录介质的表面污染、可以防止磁记录介质上存在的污染物质向磁头附着(转印)的磁记录介质和具备其的磁记录再现装置。将磁记录介质的碳保护层氮化,作为润滑剂,混合使用下述通式(1)所示的化合物A和下述通式(2)所示的化合物B。R1?C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2?R2?CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(1)CH2(OH)CH(OH)CH2OCH2CF2CF2(OCF2CF2CF2)mOCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(2)。
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公开(公告)号:CN105632520A
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201510818080.6
申请日:2015-11-23
Applicant: 昭和电工株式会社 , 日本原子力研究开发机构
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质及磁存储装置。一种垂直磁记录介质,包括非磁性衬底;垂直磁性层,其设在所述非磁性衬底的上方;以及保护层,其设在所述垂直磁性层上。所述垂直磁性层具有六角密积结构、并包括多个堆叠的层,该多个堆叠的层具有相对于所述非磁性衬底的表面平行取向的(0002)晶面。所述垂直磁性层的多个堆叠的层中的最上层包括多晶体晶粒,所述多晶体晶粒选自CoCr基合金、CoPt基合金、CoCrPt基合金、及CoPtCr基合金构成的组。所述保护层与所述垂直磁性层的所述最上层接触,并且所述保护层包括单一石墨烯层或石墨烯层叠体、以及非晶碳层。所述单一石墨烯层或所述石墨烯层叠体与所述多晶体晶粒的(0002)晶面平行结合。
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