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公开(公告)号：CN100413058C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200580000984.2
申请日：2005-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种互连导电层及互连导电层的制造方法，在本发明的互连导电层的制造方法中，在基板(10)的背面(12)一侧的贯通孔(13)的开口部形成籽晶层(14)，并在该籽晶层(14)的基础上形成电镀用电极层(15)，然后在基板(10)的表面(11)一侧形成镀层(16)来填充贯通孔(13)。其结果是，能够提供制造工序简单，且不会在贯通孔的内部产生孔洞的互连导电层的制造方法。
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公开(公告)号：CN110997928B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201880051469.4
申请日：2018-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种判定多能干细胞的未分化状态的方法，其包含向培养多能干细胞的受试培养用培养基照射波长190nm～2500nm的范围或其一部分范围的波长光，检测其反射光、透射光或透射反射光，得到吸光度光谱数据，通过基于使用在多能干细胞的培养中使用的多种对照培养用培养基预先制作的分析模型，对所述吸光度光谱数据中的测定全波长或其一部分范围的吸光度进行分析，判定多能干细胞的未分化状态；其中，所述多种对照培养用培养基含有用于维持多能干细胞的未分化状态的培养基，和选自由向外胚层系细胞分化诱导的分化诱导培养基、向中胚层系细胞分化诱导的分化诱导培养基以及向内胚层系细胞分化诱导的分化诱导培养基组成的组中的一种以上的分化诱导培养基。
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公开(公告)号：CN110997928A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880051469.4
申请日：2018-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种判定多能干细胞的未分化状态的方法，其包含向培养多能干细胞的受试培养用培养基照射波长190nm～2500nm的范围或其一部分范围的波长光，检测其反射光、透射光或透射反射光，得到吸光度光谱数据，通过基于使用在多能干细胞的培养中使用的多种对照培养用培养基预先制作的分析模型，对所述吸光度光谱数据中的测定全波长或其一部分范围的吸光度进行分析，判定多能干细胞的未分化状态；其中，所述多种对照培养用培养基含有用于维持多能干细胞的未分化状态的培养基，和选自由向外胚层系细胞分化诱导的分化诱导培养基、向中胚层系细胞分化诱导的分化诱导培养基以及向内胚层系细胞分化诱导的分化诱导培养基组成的组中的一种以上的分化诱导培养基。
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公开(公告)号：CN1977365A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200580022152.0
申请日：2005-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L23/32 , H05K1/11 , H05K3/42
Abstract: 本发明的贯通基板包括：具有贯通孔(19)的硅基板(10)，所述贯通孔(19)贯通基板的表面(11)和背面(12)；沿着贯通孔(19)的内壁面而设置的氧化硅膜(13)；形成在氧化硅膜(13)的内壁面上的Zn和Cu的层(14)、(15)；以及Cu的镀层(18)，该镀层(18)沿Zn和Cu的层(14)、(15)的内壁面，以间隔绝缘层(16)的方式从Cu的薄膜层(17)开始生长。其结果是，可提供能够排除由串音引起的噪声的贯通电极。
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公开(公告)号：CN1842914A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580000984.2
申请日：2005-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L23/32
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在互连导电层的制造方法中，在基板(10)的背面(12)一侧的贯通孔(13)的开口部形成籽晶层(14)，并在该籽晶层(14)的基础上形成电镀用电极层(15)，然后在基板(10)的表面(11)一侧形成镀层(16)来填充贯通孔(13)。其结果是，能够提供制造工序简单，且不会在贯通孔的内部产生孔洞的互连导电层的制造方法。
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