一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆及其制备方法

    公开(公告)号:CN116994795A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202311058610.2

    申请日:2023-08-22

    摘要: 本发明公开一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆及其制备方法,属于电子浆料技术领域。所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆包括如下重量百分含量的组分:72‑80%导电银粉、3‑11%玻璃粉和12‑19%有机载体;玻璃粉包括如下质量百分含量组分:40‑52%Bi2O3、20‑30%B2O3、10‑15%SiO2、7‑9%ZnO、1‑3%Al2O3、2‑3%CaO、3%‑5%BaO;导电银粉包括球形银粉和片状银粉,其中片状银粉的含量为3‑10wt.%。本发明一方面通过在玻璃粉中添加CaO,与其他玻璃粉成分作用获得综合性能完善、粒度分布均匀、与陶瓷介质滤波器膨胀系数匹配的玻璃粉,使银浆烧结温度更低,且与基体的附着力度高。另一方面将球形银粉和片状银粉进行混合,使得银粉在更低的温度下烧结成膜,在降低银粉含量的同时,降低银浆的烧结温度,同时提高银浆与基体的附着力,增强导电性。

    一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆及其制备方法

    公开(公告)号:CN116994795B

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202311058610.2

    申请日:2023-08-22

    摘要: 本发明公开一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆及其制备方法,属于电子浆料技术领域。所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆包括如下重量百分含量的组分:72‑80%导电银粉、3‑11%玻璃粉和12‑19%有机载体;玻璃粉包括如下质量百分含量组分:40‑52%Bi2O3、20‑30%B2O3、10‑15%SiO2、7‑9%ZnO、1‑3%Al2O3、2‑3%CaO、3%‑5%BaO;导电银粉包括球形银粉和片状银粉,其中片状银粉的含量为3‑10wt.%。本发明一方面通过在玻璃粉中添加CaO,与其他玻璃粉成分作用获得综合性能完善、粒度分布均匀、与陶瓷介质滤波器膨胀系数匹配的玻璃粉,使银浆烧结温度更低,且与基体的附着力度高。另一方面将球形银粉和片状银粉进行混合,使得银粉在更低的温度下烧结成膜,在降低银粉含量的同时,降低银浆的烧结温度,同时提高银浆与基体的附着力,增强导电性。