负型感光性树脂组合物、固化浮雕图案的制造方法和半导体装置

    公开(公告)号:CN116256943A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202211574701.7

    申请日:2022-12-08

    Abstract: 一种负型感光性树脂组合物、固化浮雕图案的制造方法和半导体装置。本发明提供感光性树脂组合物、使用该感光性树脂组合物来形成图案的固化浮雕图案的制造方法、以及半导体装置,所述感光性树脂组合物不会因低温保管而发生析出,且赋予在铜或铜合金上也具有高密合性、迁移受到抑制的固化膜。提供一种负型感光性树脂组合物,其包含(A)选自(A1)聚酰亚胺前体和(A2)聚酰亚胺中的至少1种树脂、(B)光聚合引发剂、(C)作为含氮杂环式化合物的四唑化合物、以及(D)溶剂,前述感光性树脂组合物还含有防止前述(C)含氮杂环式化合物析出的(E)抗析出剂,且前述(E)抗析出剂的汉森溶解度参数(HSP)为以下的范围:△D:15.2~21.2△P:8.9~14.9△H:9.0~14.3。

    半导体装置及其制造方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115966523A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202211252261.3

    申请日:2022-10-13

    Inventor: 清水建树

    Abstract: 目的在于提供能够实现半导体芯片的保护、以及保护层侧和再布线层中的绝缘层侧之间的密合性的提高的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备半导体芯片(2)、与半导体芯片(2)接触的密封材料(3)、俯视时面积比半导体芯片(2)大的再布线层(4)、以及用于保护半导体芯片(2)的保护层(8),保护层(8)配置于半导体芯片(2)与再布线层(4)的绝缘层(6)之间,保护层(8)的杨氏模量与绝缘层(6)的杨氏模量之差为0.8~5.0GPa。

    负型感光性树脂组合物和固化浮雕图案的制造方法

    公开(公告)号:CN115039029A

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202180011980.3

    申请日:2021-01-27

    Abstract: 本发明提供一种在铜布线上形成浮雕图案时显示高清晰度、即便固化温度为低温也会充分进行酰亚胺化、能够制造与铜布线的密合性良好的固化浮雕图案的负型感光性树脂组合物,以及使用该负型感光性树脂组合物来制造固化浮雕图案的方法。负型感光性树脂组合物包含:(A)包含特定通式(1)所示结构单元的聚酰亚胺前体、以及(B)光聚合引发剂,所述结构单元包含具有脲结构的1价有机基团。

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