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公开(公告)号:CN115039326A
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN202080095403.2
申请日:2020-12-18
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 存在未考虑到半导体元件的温度或者流过半导体元件的电流发生了变化这一情况、无法充分减少开关损耗和噪声的问题。因此,本发明中,时刻控制部(3)根据输入的感测信息(温度(T)、电流(I))、以使IGBT(101)的开关损耗的减少量最大化的方式输出延迟信号(Q)来控制电流增加电路(5)的驱动时刻。电流增加电路(5)在IGBT(101)的导通或断开时响应于比驱动指令信号(P)晚规定时间的延迟信号(Q)而输出驱动信号。如此,通过响应于延迟信号(Q)而增加对IGBT(101)的栅极电容进行充放电的电流,得以增加开关速度、减少开关损耗。