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公开(公告)号：CN103503121A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021239.6
申请日：2012-05-18
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/312 , C08K3/00 , C08L25/18 , C08L27/12 , C08L71/10 , C08L101/02 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L23/293 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/34 , C08K5/05 , H01L23/3171 , H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明提供一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有阴离子性基团或阳离子性基团的高分子化合物。
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公开(公告)号：CN103348449A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280008317.9
申请日：2012-02-10
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/04
CPC classification number: H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种n型扩散层形成用组合物，其包括：分散介质以及玻璃粉末，所述玻璃粉末包含选自ZrO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MgO、CaO、SrO及BaO中的至少一种及P2O5。
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公开(公告)号：CN107093550A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610917021.9
申请日：2012-07-03
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/18 , H01L31/068 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C15/00
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。
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公开(公告)号：CN103503121B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201280021239.6
申请日：2012-05-18
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/312 , C08K3/00 , C08L25/18 , C08L27/12 , C08L71/10 , C08L101/02 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有阴离子性基团或阳离子性基团的高分子化合物。
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公开(公告)号：CN103794478B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410050927.6
申请日：2012-07-17
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/2255 , H01L21/2225 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有P2O5、SiO2及CaO的玻璃粉末，以及分散介质。通过将该n型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上并实施热扩散处理，从而制造n型扩散层、及具有n型扩散层的太阳能电池元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105118890A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510484602.3
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/186 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/022425
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比上述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN105006429A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510226976.5
申请日：2012-07-03
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18 , C03C15/00 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C3/097
CPC classification number: H01L21/2225 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C15/00 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。
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公开(公告)号：CN103718309B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201280036330.5
申请日：2012-07-24
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/225
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L21/2255 , H01L29/36 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其具有半导体层和杂质扩散层，所述杂质扩散层含有：选自K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、V、Sn、Zr、Mo、La、Nb、Ta、Y、Ti、Zr、Ge、Te及Lu中的至少一种金属原子；以及选自n型杂质原子及p型杂质原子中的至少一种杂质原子。
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公开(公告)号：CN103155166B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201180048985.X
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/225
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成n型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予上述第一用于形成n型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质、且n型杂质浓度比上述第一用于形成n型扩散层的组合物低的第二用于形成n型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成n型扩散层的组合物及第二用于形成n型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN103688341B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201280035500.8
申请日：2012-07-17
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/2255 , H01L21/2225 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有P2O5、SiO2及CaO的玻璃粉末，以及分散介质。通过将该n型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上并实施热扩散处理，从而制造n型扩散层、及具有n型扩散层的太阳能电池元件。
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