公开(公告)号：CN1218374C

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03107532.0

申请日：2003-03-26

Applicant: 日本电气株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 碓井彰 ,  柴田真佐知 ,  大岛祐一

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B33/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02664 ,  Y10T428/265

Abstract: 为了提供一种具有较小扭曲的III族氮化物半导体基片，本发明提供了一种方法，该方法包括如下步骤：在蓝宝石衬底31上，外延生长具有GaN低温生长缓冲层的GaN层33；从由生长反应器中取出的基片上去除该蓝宝石衬底31、GaN缓冲层32和一小部分GaN层33，从而获得自承重GaN基片35；并且然后，通过在NH3气氛、1200℃下，将该GaN基片35放入电炉中对其进行热处理24小时；这导致自承重GaN基片35的扭曲明显减小，使得其正面和反面的位错密度为4×107cm-2和8×105cm-2，从而很好地控制这种低位错密度比值为50。

公开(公告)号：CN1387231A

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN02120281.8

申请日：2002-05-21

Applicant: 日本电气株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 碓井彰 ,  柴田真佐知 ,  大岛祐一

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

Abstract: 在衬底主体的基于氮化物的化合物半导体基层上直接形成金属层,其中金属层包括从这样一组金属中选择的至少一种,该组金属借助于热处理,促使从基层中去掉构成原子;借助于热能的提供,形成穿过所述金属层的许多小孔,并在基于氮化物的化合物半导体基层中形成很多空隙;利用在开始工序中填充所述空隙和后继的在多孔金属层上的主外延生长,以在所述金属层上形成外延生长的基于氮化物的化合物半导体晶体层。