公开(公告)号：CN1110582C

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN98120573.9

申请日：1998-09-30

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社

Inventor： 高松勇吉 ,  米山岳夫 ,  石滨义康

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: B01J4/008 ,  B01D1/16 ,  B01D3/346 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4486 ,  Y10S261/65

Abstract: 一种材料的汽化和供给装置，其中在控制的流速下将用于CVD的液体材料引入到汽化器内，通过设置在汽化器内部或外部的超声波雾化装置雾化，通过载体气体的循环气流加热并汽化。当用于CVD的液体材料提供到制造半导体的CVD装置时，在汽化中材料的浓度容易控制，根据材料流速的变化快速改变气体内材料的浓度，不会发生材料的分解，不会限制CVD装置的工作条件。

公开(公告)号：CN1316546A

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN01111233.6

申请日：2001-03-08

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社 ,  NPS株式会社

Inventor： 酒井士郎 ,  北原宏一 ,  高松勇吉 ,  森勇次

IPC: C23C16/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/45519 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种用于形成半导体膜的化学汽相淀积设备，它包括：一侧反应管，此管包括一用于在其上放置基层的基座；一圆形加热器，它用于对所述基层进行加热；以及，一气体入口，它用于引入包含有至少一种源气体的气体，所述入口设置成基本上与所述基层相平行，其中，所述圆形加热器的相对前述气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。还公开了一种使用上述化学汽相淀积设备的化学汽相淀积方法。

公开(公告)号：CN1303125A

公开(公告)日：2001-07-11

申请号：CN00137392.7

申请日：2000-12-07

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社

Inventor： 高松勇吉 ,  米山岳夫 ,  石滨义康 ,  浅野彰良

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/02 ,  B01J4/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: B01D19/0031 ,  B01D19/0005

Abstract: 这里公开了一种供应液体原材料的方法,其中除去液体原材料中的气体,并从液体原材料容器向液流控制部分供应液体原材料,该方法包括:使通过第一惰性气体的压力从液体原材料容器供应的液体原材料,在透气合成树脂管中通过,使对合成树脂管的渗透率比第一惰性气体低的第二惰性气体沿所说合成树脂管的外表面通过,从而溶于液体原材料的第一惰性气体能够渗透到合成树脂管外,然后将液体原材料供应到液流控制部分。还公开了一种用于该方法的供应液体原材料的设备。本发明可以保证利用液体原材料的半导体制造期间,可以容易且有效地去除溶于液体原材料中的惰性气体。

公开(公告)号：CN1249268A

公开(公告)日：2000-04-05

申请号：CN98124326.6

申请日：1998-09-29

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社

Inventor： 高松勇吉 ,  米山岳夫 ,  石滨义康

IPC: C01B21/00

Abstract: 公开一种用化学汽相淀积法制造氮化膜的方法,其中所用氮源材料气毒性较小,有足够高的汽化压力,能在较低温度分解,因而能制成高质量薄膜,生长温度降低,提高了生长速度。用包含以叔－丁基联氨为氮源主要成分的材料气与有机金属化合物,金属卤化物或金属氢化物的材料气反应在衬底上制成氮化膜。而且可用包含叔－丁基联氨作为氮源主要成份的材料气使包含金属或金属氧化物的衬底表面氮化而制造氮化膜。