气体发生器
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103402830A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201280004755.8

    申请日:2012-01-06

    Abstract: 气体发生器(1A)具备下部侧壳(10)、上部侧壳(20)、保持部(30)、点火器(40)及过滤器(70)。下部侧壳(10)由通过将一片金属制的板状部件进行压力加工而成形的压力成形品构成,包括突状筒部(13)和设在该突状筒部(13)上的开口部(15)。保持部(13)由树脂成形部构成,在与顶板部(21)对置的部分上包括收容凹部(35),所述树脂成形部通过使绝缘性的流动性树脂材料以经由开口部(15)从下部侧壳(10)的底板部(11)的内表面的一部分达到外表面的一部分的方式附着在底板部(11)上并使其固化而形成。点火器(40)以从顶板部(21)侧插入嵌入在收容凹部(30)中的状态被保持部(30)保持。

    气体发生器
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103402829A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201280004739.9

    申请日:2012-01-04

    Abstract: 气体发生器(1A)具备包括下部侧壳(10)及上部侧壳(20)的壳体、点火器(40)、气体发生剂(61)和过滤器(70)。壳体包括组装有点火器(40)的底板部(11),在内部包括收容有气体发生剂(61)的燃烧室(60)。过滤器(70)由中空筒状的部件构成,以将燃烧室(60)在壳体的径向上包围的方式配设在壳体的内部。在底板部(11)上设有由树脂成形部构成的定位部(38),所述树脂成形部通过使流动性树脂材料附着在内表面上并使其固化而形成,由此固接在底板部(11)上,该定位部(38)抵接在过滤器(70)的位于底板部(11)侧的轴向端部的内周面上。

    点火装置以及气囊用气体发生装置与安全带预紧器用气体发生装置

    公开(公告)号:CN101595362A

    公开(公告)日:2009-12-02

    申请号:CN200780047969.2

    申请日:2007-10-26

    CPC classification number: B60R21/2644 F42B3/103 F42B3/121 F42B3/198

    Abstract: 一种点火装置,具备杯体与栓塞,所述栓塞是将多个电极引脚相互绝缘地加以保持并塞住杯体的开口部,在杯体的内部具有点火药,更具有ASIC组件,所述ASIC组件是在利用树脂将包含ASIC与电容器的电子电路加以铸模而成的树脂模的头部,配设着与ASIC连接的加热元件,并且在所述树脂模的底部配设着用来将ASIC与电极引脚加以连接的通信电极,所述点火装置通过设置圆筒形的按压配件,而使内置于点火装置的电子电路确实地通电,并且在点火装置运转时不存在树脂模或树脂模的碎片飞散的担忧,所述按压配件在头顶中央部具有足以使加热元件露出的开口部,并且一方面覆盖ASIC组件的头部周缘及侧面,一方面以将ASIC组件的通信电极按压在电极引脚上的状态而固定在栓塞上。

    半导体桥、点火器和气体发生器

    公开(公告)号:CN101258378A

    公开(公告)日:2008-09-03

    申请号:CN200680032861.1

    申请日:2006-09-05

    CPC classification number: F42B3/13 B60R21/26 B60R2021/26029 C06C9/00

    Abstract: 本发明提供一种半导体桥、点火器和气体发生器,分别满足例如车辆侧面充气装置所要求的高速响应。该半导体桥包括通过应用电流而被点火的桥部。该桥部置于基板上。该桥部包括第一层和点火桥层。该第一层形成于基板上并具有绝缘性。该点火桥层作为置于该第一层上的第二层。该桥部在该第一层的宽度和该桥部在该第二层的宽度基本上相等。在该桥部周围设置空间。采用这种结构,电流和热量扩散到基板内可以被限制到最低水平,且能够获得加快点火时间的点火特性。该点火器和气体发生器均包括该半导体桥。

    半导体电桥装置以及具备半导体电桥装置的点火器

    公开(公告)号:CN101036034A

    公开(公告)日:2007-09-12

    申请号:CN200580033640.1

    申请日:2005-10-04

    CPC classification number: F42B3/14 F42B3/13 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明提供一种至产生火花为止的反应时间较短、且火花产生量也较大的半导体电桥装置。本发明的半导体电桥装置,是在基板上具有一对焊盘部分及电性连接这一对焊盘部分的电桥部,并通过配置在这一对焊盘部分上面的电极极板而通电,以此使该电桥部中产生火花,此半导体电桥装置的特征在于,这一对焊盘部分及该电桥部是由将多组金属层与金属氧化物层交替重叠而成的叠置层所构成,并将该叠置层的最上层设为金属层,并且使用分解温度超过1500℃的金属氧化物作为该金属氧化物层。

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