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公开(公告)号:CN106856375A
公开(公告)日:2017-06-16
申请号:CN201610940032.9
申请日:2016-10-25
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor: 松井康平
Abstract: 本发明提供一种在用密闭框体覆盖整个装置的情况下也能抑制该密闭框体内的无源元器件的温度上升的逆变器装置。该逆变器装置(1)中,利用与功率半导体模块(13)接合的冷却器(11)的冷却面(11a)和逆变器框体(10)将包含功率半导体模块(13)以及逆变器电路模块(16)的逆变器电路封闭,该逆变器电路模块(16)包含无源元器件,该逆变器装置(1)中,在冷却器(11)的冷却面(11a)上形成密闭绝缘层、即密闭空间(E1~E3),将密闭空间(E1~E3)的厚度(d1~d3)设为最大对流抑制距离(d)以下。由此,不会在密闭空间(E1~E3)内产生对流,能维持密闭空间(E1~E3)内的高绝热性能。
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公开(公告)号:CN106856375B
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN201610940032.9
申请日:2016-10-25
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor: 松井康平
Abstract: 本发明提供一种在用密闭框体覆盖整个装置的情况下也能抑制该密闭框体内的无源元器件的温度上升的逆变器装置。该逆变器装置(1)中,利用与功率半导体模块(13)接合的冷却器(11)的冷却面(11a)和逆变器框体(10)将包含功率半导体模块(13)以及逆变器电路模块(16)的逆变器电路封闭,该逆变器电路模块(16)包含无源元器件,该逆变器装置(1)中,在冷却器(11)的冷却面(11a)上形成密闭绝缘层、即密闭空间(E1~E3),将密闭空间(E1~E3)的厚度(d1~d3)设为最大对流抑制距离(d)以下。由此,不会在密闭空间(E1~E3)内产生对流,能维持密闭空间(E1~E3)内的高绝热性能。
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