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公开(公告)号：CN100407017C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200610083374.X
申请日：2006-06-06
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/13 , G06K11/06
CPC classification number: G06F3/041 , H03K17/962 , H03K17/9625 , Y10T428/26 , Y10T428/31504
Abstract: 本发明提供透明导电性层叠体，其是在厚度为2～200μm的透明薄膜基材的一侧表面，从前述薄膜基材侧开始，按照第一透明电介质薄膜、第二透明电介质薄膜和透明导电性薄膜的顺序依次形成膜的透明导电性层叠体，其特征在于：第一透明电介质薄膜是通过真空蒸镀法、溅射法或离子镀覆法形成的，并且第一透明电介质薄膜包含相对于氧化铟100重量份含有氧化锡0～20重量份、氧化铈10～40重量份的复合氧化物，当设第一透明电介质薄膜的折射率为n1、第二透明电介质薄膜的折射率为n2、透明导电性薄膜的折射率为n3时，满足n2＜n3≤n1的关系。
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公开(公告)号：CN103632753A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310506879.2
申请日：2011-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B29C71/02 , C23C14/086 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/25 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板。透明导电性膜具有可以缩短结晶化时间的透明导电性薄膜。透明导电性膜，其特征在于，其为在透明的膜基材的至少一面具有透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜，所述膜基材为厚度2～200μm的塑料膜，所述透明导电性薄膜层叠体中，从所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧开始具有第一透明导电性薄膜和第二透明导电性薄膜，第一透明导电性薄膜为氧化锡的比例超过0且为6重量%以下的铟锡复合氧化物的结晶质膜，第二透明导电性薄膜为氧化锡的比例3～25重量%的铟锡复合氧化物的结晶质膜，所述第二透明导电性薄膜的氧化锡的比例比所述第一透明导电性薄膜大，所述透明导电性薄膜层叠体整体的厚度为35nm以下。
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公开(公告)号：CN102543268B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110346353.3
申请日：2011-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B29C71/02 , C23C14/086 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/25 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板。所述透明导电性膜具有可以缩短结晶化时间的透明导电性薄膜。一种在透明的膜基材的至少一面具有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜，所述透明导电性薄膜均为氧化铟或含有4价金属元素的氧化物的铟系复合氧化物的结晶质膜，在所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧具有氧化铟或4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量％以下的第一透明导电性薄膜(21)，从所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧开始继第一透明导电性薄膜之后具有4价金属元素的氧化物的比例比所述第一透明导电性薄膜(21)大的第二透明导电性薄膜(22)。
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公开(公告)号：CN102543301A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110346352.9
申请日：2011-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明提供能缩短结晶化时间的透明导电性膜的制造方法。其为在透明的膜基材的至少一面具有透明导电层的透明导电性膜的制造方法，其具有如下所述的形成铟系复合氧化物的非晶质层的工序(A)和工序(B)，所述工序(A)包含在所述透明的膜基材上依次实施通过溅射堆积以4价金属元素的氧化物的比例为3～35重量％的铟系复合氧化物的工序(A1)和通过溅射堆积氧化铟或所述4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量％以下、且所述4价金属元素的氧化物的比例比工序(A1)中使用的铟系复合氧化物小的铟系复合氧化物工序(A2)，所述工序(B)通过加热所述非晶质层使其结晶化，形成铟系复合氧化物的结晶质的透明导电层。
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公开(公告)号：CN102543268A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110346353.3
申请日：2011-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B29C71/02 , C23C14/086 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/25 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板。所述透明导电性膜具有可以缩短结晶化时间的透明导电性薄膜。一种在透明的膜基材的至少一面具有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜，所述透明导电性薄膜均为氧化铟或含有4价金属元素的氧化物的铟系复合氧化物的结晶质膜，在所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧具有氧化铟或4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量％以下的第一透明导电性薄膜(21)，从所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧开始继第一透明导电性薄膜之后具有4价金属元素的氧化物的比例比所述第一透明导电性薄膜(21)大的第二透明导电性薄膜(22)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101133463B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200680007188.6
申请日：2006-12-27
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086
Abstract: 本发明提供一种结晶性透明导电性薄膜，其主成分是相对于氧化铟和氧化锡的总量以9重量％以下的比例含有氧化锡的氧化铟锡，该结晶性透明导电性薄膜以0.45原子％以下的比例含有氮。本发明的结晶性透明导电性薄膜具有高电阻值且在高温、高湿环境下的可靠性也良好。
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公开(公告)号：CN1698028B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200480000434.6
申请日：2004-02-05
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/0488 , G06F3/041
Abstract: 表面处理层、透明刚性层和透明松弛层依次层压而形成一种透明层压体。特别是，透明松弛层由粘合剂制成。透明刚性层在20℃的动态储能模量G′不低于2X108Pa。另一方面，透明松弛层在20℃的动态储能模量G′不高于1X107Pa。透明层压体直接层压到作为图象显示面板提供的液晶显示屏的观看表面侧(笔控输入侧)，使透明松弛层位于内侧。于是，就制成一种笔控输入图象显示器件。
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公开(公告)号：CN101310345A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200780000108.9
申请日：2007-01-12
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , G06F3/041 , B32B27/30 , G02F1/1333
CPC classification number: G06F3/045 , B32B27/00 , Y10T428/1059 , Y10T428/254 , Y10T428/31551 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明提供一种透明导电性膜，在透明的膜基材的一个面上具有硬涂层、在透明的膜基材的另一个面上具有透明导电性薄膜，所述硬涂层的形成材料包括聚氨酯丙烯酸酯、多元醇(甲基)丙烯酸酯和具有含两个以上羟基的烷基的(甲基)丙烯酸聚合物。本发明的透明导电性膜的耐擦伤性良好。
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公开(公告)号：CN103345962A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310269101.4
申请日：2012-09-27
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H05K1/0274 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01L31/1884 , H05K1/09 , H05K2201/0326 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜（10）具备薄膜基材（11）、和形成在薄膜基材（11）上的透明导体图案（12）、和埋设透明导体图案（12）的粘合剂层（13）。透明导体图案（12）具有在薄膜基材（11）上层叠有第一铟锡氧化物层（14）和第二铟锡氧化物层（15）的双层结构。第一铟锡氧化物层（14）的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层（15）的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层（14）的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层（15）的厚度薄。
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公开(公告)号：CN102543301B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201110346352.9
申请日：2011-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明提供能缩短结晶化时间的透明导电性膜的制造方法。其为在透明的膜基材的至少一面具有透明导电层的透明导电性膜的制造方法，其具有如下所述的形成铟系复合氧化物的非晶质层的工序(A)和工序(B)，所述工序(A)包含在所述透明的膜基材上依次实施通过溅射堆积以4价金属元素的氧化物的比例为3～35重量％的铟系复合氧化物的工序(A1)和通过溅射堆积氧化铟或所述4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量％以下、且所述4价金属元素的氧化物的比例比工序(A1)中使用的铟系复合氧化物小的铟系复合氧化物工序(A2)，所述工序(B)通过加热所述非晶质层使其结晶化，形成铟系复合氧化物的结晶质的透明导电层。
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