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公开(公告)号：CN106459736B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201580024274.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 捷恩智株式会社 , 地方独立行政法人大阪产业技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可形成具有高导热性的放热部材、电子机器。放热部材用组合物包含：两末端具有包含氧杂环丙基或氧杂环丁基的结构的聚合性液晶化合物；使所述聚合性液晶化合物硬化的硬化剂；及由氮化物形成的无机填料。放热部材用组合物的硬化温度为所述聚合性液晶化合物显示液晶相的温度范围以上且显示各向同性相的温度范围以下。由此种组合物形成的放热部材利用液晶化合物的取向与由氮化物形成的无机填料的协同效应而可具有优异的导热性。
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公开(公告)号：CN108713042A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780015287.7
申请日：2017-02-28
Applicant: 捷恩智株式会社 , 地方独立行政法人大阪产业技术研究所
Abstract: 本发明是一种低热膨胀构件用组合物及低热膨胀构件，所述低热膨胀构件用组合物可形成热膨胀率与半导体元件内部的构件接近、具有高耐热性、进而导热率也高的低热膨胀构件。本发明的低热膨胀构件用组合物的特征在于包含：与第1偶合剂11的一端键结的导热性的第1无机填料1；及与第2偶合剂12的一端键结的导热性的第2无机填料2；通过硬化处理，所述第1无机填料1与所述第2无机填料2经由所述第1偶合剂11与所述第2偶合剂12而键结。
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公开(公告)号：CN108712965A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780015289.6
申请日：2017-02-28
Applicant: 捷恩智株式会社 , 地方独立行政法人大阪产业技术研究所
Abstract: 本发明是一种可在半导体元件内部等缩小不同材料间的界面的热膨胀率差、具有高耐热性、进而导热率也高的层叠体。本发明的层叠体包括至少两层热膨胀控制构件，所述热膨胀控制构件包含：与第1偶合剂的一端键结的导热性的第1无机填料；及与第2偶合剂的一端键结的导热性的第2无机填料；所述热膨胀控制构件为所述第1偶合剂的另一端与所述第2偶合剂的另一端分别键结于聚合性化合物的热膨胀控制构件、或所述第1偶合剂的另一端与所述第2偶合剂的另一端相互键结的热膨胀控制构件，所述热膨胀控制构件的热膨胀率各不相同。
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公开(公告)号：CN108699340A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780015293.2
申请日：2017-02-28
Applicant: 捷恩智株式会社 , 地方独立行政法人大阪产业技术研究所
CPC classification number: C08G77/045 , C08G59/32 , C08K3/041 , C08K3/046 , C08K3/14 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/346 , C08K3/38 , C08K9/04 , C08K2003/2227 , C08K2003/282 , C08K2003/385 , C08K2201/001 , C08L63/00 , C08L83/04 , C09K5/14 , H01L23/3737
Abstract: 本发明是一种可形成具有高耐热性、进而导热率也高的放热构件的组合物。本发明的放热构件用组合物的特征在于包含：与第1偶合剂的一端键结的导热性的第1无机填料；及与第2偶合剂的一端键结的导热性的第2无机填料；且例如如图2所示，通过硬化处理，所述第1偶合剂11的另一端与所述第2偶合剂12的另一端分别键结于二官能以上的倍半硅氧烷21，或者所述第1偶合剂与所述第2偶合剂的至少一者在其结构中包含倍半硅氧烷，且例如如图3所示，所述第1偶合剂13的另一端与所述第2偶合剂12的另一端相互键结。
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