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公开(公告)号:CN102574724A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201080029246.1
申请日:2010-05-28
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: C03C3/064 , C03C3/078 , C03C3/089 , C03C3/091 , H01L31/0296 , H01L31/0322 , H01L31/048 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本文描述了可熔合成形、应变点高、无钠的硅酸盐、铝硅酸盐和硼铝硅酸盐玻璃的组成范围。所述玻璃可用作光伏器件的基板,例如薄膜光伏器件,如CIGS光伏器件的基板。这些玻璃的特征是其应变点≥540℃,热膨胀系数为6.5-10.5ppm/℃,液相线粘度超过50000泊。因此,它们理想地适合通过熔合法成形为板材。
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公开(公告)号:CN102301504A
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN201080006311.9
申请日:2010-01-29
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: H01M2/10 , H01M6/40 , H01M10/04 , H01M10/052 , H01M10/0585
CPC classification number: H01M10/052 , H01M2/1061 , H01M6/40 , H01M10/0525 , H01M10/0565 , H01M10/0585 , Y10T29/49108
Abstract: 薄膜电池包括:基底、在基底上形成的阳极电流收集器层和阴极电流收集器层、在相应电流收集器层上形成并与其电气接触的阳极层和阴极层、在阳极层和阴极层之间形成的电解质层。薄膜电池还包括由以下材料形成的阻挡层:氧化锡、磷酸锡、氟磷酸锡、硫属化物玻璃、亚碲酸盐玻璃或硼酸盐玻璃。阻挡层构造成封装薄膜电池层,并基本上阻止或防止薄膜电池层暴露于空气或水气。
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公开(公告)号:CN102066274A
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN200980124384.5
申请日:2009-04-28
Applicant: 康宁股份有限公司
Inventor: B·G·艾特肯
Abstract: 本文描述一种Ga-P-S(镓-磷-硫)硫族化物玻璃组合物,该组合物可应用于红外(IR)窗、波导光纤,或者作为发光掺杂剂的主体玻璃。该玻璃的组成范围按原子百分数表示如下:45-85%硫,>0至25%镓,>0至20%磷。所述玻璃还包含硒(Se)、碲(Te)、0-20%铟、0-40%砷、0-15%锗、0-10%锑,以及总量为0-5%的锡、铊、铅、铋、或者它们的组合,Se和Te必须小于或等于S/2。
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公开(公告)号:CN101130861B
公开(公告)日:2010-11-03
申请号:CN200710141800.5
申请日:2007-08-24
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01L51/5253 , C23C14/06 , H01L31/048 , Y02E10/50
Abstract: 揭示一种磷酸锡防渗透膜及方法和设备。该方法包括以下步骤:在器件的至少一部分上沉积磷酸锡的低液相线温度(LLT)的无机材料,形成沉积的磷酸锡LLT材料;在基本上不含氧气和湿气的环境中对沉积的LLT材料进行热处理,形成气密式密封;其中,沉积LLT材料的步骤包括使用含钨的电阻型加热元件。还揭示一种有机电子器件,该器件包括基板;至少一层电子层或光电子层;和磷酸锡LLT防渗透层,其中,电子层或光电子层被气密式密封在磷酸锡LLT防渗透层和基板之间。还揭示一种设备,其至少一部分用磷酸锡LLT防渗透层密封。
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公开(公告)号:CN101243018A
公开(公告)日:2008-08-13
申请号:CN200680029757.7
申请日:2006-07-28
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: C03C3/095
CPC classification number: C03C3/095
Abstract: 一类源自硅铝酸稀土金属盐(RE2O3-Al2O3-SiO2)三元体系的玻璃,所述玻璃具有高的应变点和低的液相线温度。优选为La2O3-Al2O3-SiO2三元体系。该玻璃是电子应用,特别是平板显示器的极佳候选物。以玻璃批料中氧化物的摩尔量为基准计,该玻璃的组成如下:60-88摩尔%SiO2,5-25摩尔%Al2O3和2-15摩尔%RE2O3。
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公开(公告)号:CN101044620A
公开(公告)日:2007-09-26
申请号:CN200580028046.3
申请日:2005-08-03
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: H01L27/01
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明涉及具有应变半导体层的绝缘体上半导体结构。根据本发明的一个实施例,一种绝缘体上半导体结构具有包括半导体材料、附连到包括玻璃或玻璃陶瓷的第二层的第一层,且将半导体和玻璃或玻璃陶瓷的CTE选择成使第一层受到拉伸应变的作用。本发明还涉及该应变绝缘体上半导体层的制造方法。
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公开(公告)号:CN1246244C
公开(公告)日:2006-03-22
申请号:CN02152660.5
申请日:2002-11-28
Applicant: 康宁股份有限公司
Abstract: 本文揭示了氧化钛-氧化镧硅铝酸盐玻璃系列,以及例如具有涂覆在这种玻璃基底上的多晶硅的电子装置的产品。所述玻璃的应变点超过780℃,热膨胀系数为20~60×10-7/℃,杨氏模量大于12mpsi,并且在化学方面持久耐用。
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公开(公告)号:CN1308591A
公开(公告)日:2001-08-15
申请号:CN99808321.6
申请日:1999-06-21
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: C03C10/0009 , C03C3/062 , C03C3/097 , C03C10/0072
Abstract: 本发明涉及一种玻璃基体,它包含4-70%(重量)SiO2、0.5-20%(重量)Al2O3、0-20%(重量)R2O、0-30%(重量)R′O、8-85%(重量)Ta2O5、0-40%(重量)Nb2O5和0.01-1.0%(重量)R″2O3,其中R2O+R′O约为2-35%(重量),Ta2O5+Nb2O5约为8-85%(重量),R选自Li、Na、K,以及它们的组合,R′选自Ba、Sr、Ca、Mg、Zn、Pb,以及它们的组合,R″是稀土元素。本发明还涉及使用玻璃基体形成光波导,如光学放大器。本发明还一种涉及透明的玻璃陶瓷,其中含有烧绿石、钙钛矿或者它们的组合作为主要结晶相,并包含4-40%(重量)SiO2、1-15%(重量)Al2O3、0-20%(重量)K2O、0-12%(重量)Na2O、0-5%(重量)Li2O、8-85%(重量)Ta2O5和0-45%(重量)Nb2O5,其中Ta2O5+Nb2O5至少约为20%(重量),(K2O+Li2O+Na2O)约为5-20%(重量)。还揭示了制备玻璃陶瓷的方法和使用玻璃陶瓷作为电光器件中的铁电性元件或者作为光学滤光器件中的滤光器芯部。
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公开(公告)号:CN1292877A
公开(公告)日:2001-04-25
申请号:CN99803652.8
申请日:1999-02-09
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: G01R33/032
CPC classification number: G01R15/246 , G01R33/0322
Abstract: 本发明涉及一种包括玻璃制品(3)用于在磁场中测量电流的装置,其中,玻璃可以是氟氧化物玻璃或氧化铋玻璃,它在546nm处具有从-0.2至0.2的光弹性系数。此外,本发明还涉及测量电流的方法。
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