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发明公开
用来实现高温清洁以供快速处理晶片的技术审中-公开

公开(公告)号：CN112166491A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201980033690.1

申请日：2019-05-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·S·C·帕里米 , 蒋志钧 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , V·B·沙赫 , S·斯里瓦斯塔瓦 , A·K·班塞尔 , 韩新海 , V·K·普拉巴卡尔

IPC: H01L21/67 , H01L21/02

Abstract: 本公开内容的实施方式总的来说提供改进的方法，所述方法用于清洁真空腔室以在腔室陈化工艺之前从真空腔室移除吸附的污染物，同时将所述腔室维持在所期望的沉积处理温度下。所述污染物可由清洁气体与腔室部件以及真空腔室的壁反应而形成。

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