氮掺杂碳氢氧化钴复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117095949A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202311283365.5

    申请日:2023-09-28

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明提供了一种氮掺杂碳氢氧化钴复合材料及其制备方法,以荷梗为碳源,含氮元素的无机物或有机物为掺杂剂,KOH为造孔剂,首先通过两步法高温碳化制得氮掺杂碳,然后经过电沉积技术制得电化学性能优异、循环稳定性好的氮掺杂碳氢氧化钴复合材料。本发明实施例提供的氮掺杂碳氢氧化钴复合材料制备方法,碳化、掺杂和活化的过程同步完成,不仅能够提高氢氧化钴颗粒在集流体上的键合效果,从而提高氮掺杂碳氢氧化钴复合材料作为电极的循环稳定性,而且可使得氮掺杂碳氢氧化钴复合材料制备过程简单,提高氮掺杂碳氢氧化钴复合材料的产率,有利于氮掺杂碳氢氧化钴复合材料的大规模工业生产。

    一种用于检测苯二氮卓类策划药2-氯地西泮的电化学发光传感器的制备方法和应用方法

    公开(公告)号:CN116482195A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310208930.5

    申请日:2023-03-07

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于化学发光检测领域,具体涉及一种用于检测苯二氮卓类策划药2‑氯地西泮的电化学发光传感器的制备方法和应用方法。其技术要点如下:电化学发光传感器是由Cu3(HHTP)2/PTCA‑COF复合材料修饰玻碳电极表面得到的;Cu3(HHTP)2/PTCA‑COF复合材料修饰是由PTCA‑COF对Cu3(HHTP)2的吸附作用形成的。本发明通过2‑氯地西泮对该体系ECL信号强度的猝灭的机理,实现对2‑氯地西泮的灵敏检测,该传感平台可特异性识别检测物2‑氯地西泮,具有高选择性,且操作简单、选择性好、检测成本低、灵敏度高。

    一种用于特异性检测氯霉素的电化学发光适配体传感器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113075269B

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202110325765.2

    申请日:2021-03-26

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明提供了一种用于特异性检测氯霉素的电化学发光适配体传感器及其制备方法和应用,具体属于电化学发光检测领域。包括:(1)黑磷掺杂的PTC‑NH2的复合材料(BP/PTC‑NH2)以及Co‑Ni/MOF的制备;(2)电化学发光适配体传感器的制备;(3)将BP/PTC‑NH2与Co‑Ni/MOF共同修饰到玻碳电极表面,提高电化学发光的灵敏度和稳定性,随后负载适配体即可获得电化学发光适配体传感器,该传感器可特异性识别氯霉素,检测范围为1.0×10‑13mol/L~1.0×10‑6mol/L,最低检测限为2.9×10‑14mol/L。本发明检测氯霉素的灵敏度高、特异性强、操作简单。

    一种电化学发光法检测谷胱甘肽的工作电极的制备方法及应用方法

    公开(公告)号:CN111665288B

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN202010682796.9

    申请日:2020-07-15

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明涉及谷胱甘肽的检测技术领域,尤其涉及的是一种电化学发光法检测谷胱甘肽的工作电极的制备方法及应用方法。其技术要点如下:工作电极是NH2‑SiO2@PTCA/MoS2QDs@g‑C3N4/GCE,其制备方法是,将玻碳电极抛光,依次用硝酸、无水乙醇和去离子水分别超声,自然晾干待用,用微量进样器移MoS2QDs@g‑C3N4的DMF溶液滴于玻碳电极表面,室温干燥,得到MoS2QDs@g‑C3N4/GCE修饰电极;将NH2‑SiO2@PTCA的DMF溶液滴加到MoS2QDs@g‑C3N4/GCE的表面。本发明的电化学发光法检测谷胱甘肽的方法,基于NH2‑SiO2@PTCA与MoS2QDs@g‑C3N4之间存在的共振能量转移机制以及谷胱甘肽对其机制的抑制作用,实现了对谷胱甘肽的定量检测,具有检测灵敏度高、检测速度快、特异性强、线性范围宽、使用方便的优点。

    一种草酸和钛酸四丁酯共同作用的氧化铁光阳极的制备方法

    公开(公告)号:CN112038103B

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202010779757.0

    申请日:2020-08-05

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明涉及一种草酸和钛酸四丁酯共同作用的氧化铁光阳极的制备方法,通过简单的电沉积获得铁膜,然后在加热的情况下浸泡草酸(H2C2O4)乙醇溶液后超声浸泡钛酸四丁酯(TBT),最后退火处理得到Fe2O3‑H2C2O4+TBT光阳极。由于草酸和钛酸四丁酯增加了氧化铁的比表面积,减少了电子‑空穴复合,使其光电性能得到了提升。在AM1.5标准测试条件下,相对于可逆氢电极1.23V时,光电流密度可达0.59mA cm‑2。不同于已公开报道的方法,该方法原料廉价易得,整个光电极制备过程快捷,易于大批量制备。并且跟以往控制形貌的方法不同,是通过简单浸渍发生化学反应来完成。

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