公开(公告)号：CN116087295A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202310156083.2

申请日：2023-02-23

Applicant: 常州大学

Inventor： 陈智栋 ,  卜李银 ,  朱巧勇 ,  宋清远 ,  王文昌 ,  贾树勇 ,  椎木弘

IPC: G01N27/30 ,  G01N21/64 ,  G01N27/48

Abstract: 本发明涉及电化学检测技术领域，公开了基于Zn‑PTC的分子印迹电化学发光传感器及其制备方法和检测ENR的应用。构建过程包括玻碳电极，自内向外依次修饰在玻碳电极表面的Zn‑PTC层、具有电化学活性的壳聚糖层，以及形成具有待测ENR特异性印迹空腔的聚吡咯层。检测ENR时，以Ppy‑MIP/CHIT/Zn‑PTC/GCE修饰电极作为工作电极，Ag/AgCl电极作为参比电极，铂电极作为辅助电极，采用电化学发光方法进行检测。该传感器的线性范围为1.0×10‑4～1.0×10‑12mol/L，检出限为3.3×10‑13mol/L。本发明制备的传感器具有检测灵敏度高、检测速度快、使用方便等优点。