水淬法合成片状纳米氧化锆的制备工艺

    公开(公告)号:CN103818956A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201410097881.3

    申请日:2014-03-17

    Abstract: 本发明提供一种水淬法合成片状纳米氧化锆的制备工艺,属于纳米材料制备技术领域。其特征在于:采用水淬法,以硼化锆粉体为原料,粉体粒度为2~50μm,纯度大于99%,加热至900~1100℃保温0.2~1h,水淬,水淬溶液温度为10~30℃,水淬后干燥,重复以上操作0~2次,即得片状纳米氧化锆粉体。本发明工艺简单,操作安全,成本低,不造成污染,合成的片状纳米氧化锆,沿层面平行方向的尺寸大于其厚度3倍,且分散性好。

    流延法制备层状硼化锆超高温陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN102173831B

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN201010622380.4

    申请日:2010-12-30

    Abstract: 本发明提供一种流延法制备层状硼化锆超高温陶瓷的方法,其特征在于采用以下步骤:1)采用流延法分别制备两种不同组分和厚度的硼化锆流延片:先将粘结剂和增塑剂加入溶剂中搅拌均匀,再分别加入硼化锆陶瓷粉料、搅拌均匀,形成两种不同组分的流延料,然后流延成型,室温干燥脱模后分别得到300~1000μm厚的硼化锆流延片A和20~100μm厚的硼化锆流延片B;2)对流延片A和流延片B依照模具大小分别切片;3)将切片后的流延片A和流延片B交替叠加放入石墨磨具中,真空脱脂;4)在氩气气氛下热压烧结,烧结温度为1900~2000℃,压力为20~40MPa,即得层状超高温陶瓷。本发明采用流延成型技术,工艺简单,所得材料的韧值高达9.3MPa·m1/2。

    硼化锆-碳化硅/氮化硼层状超高温陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN102173827A

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN201010622365.X

    申请日:2010-12-30

    Abstract: 本发明提供一种硼化锆-碳化硅/氮化硼层状超高温陶瓷的制备方法,其特征在于采用以下步骤:1)采用流延法分别制备硼化锆流延片与氮化硼流延片:先将粘结剂和增塑剂加入溶剂中搅拌均匀,再分别加入硼化锆陶瓷粉料和氮化硼陶瓷粉料、搅拌均匀,形成流延料,然后流延成型,室温干燥脱模后分别得到200~1000μm厚的硼化锆流延片和20~100μm厚的氮化硼流延片;2)对硼化锆流延片和氮化硼流延片依照模具大小分别切片;3)将硼化锆片和氮化硼片交替叠加放入石墨磨具中,真空脱脂;4)在氩气气氛下热压烧结,制备出层状超高温陶瓷。本发明制备工艺简单、成本低,组成成分可控,所得材料具有较高的抗高温氧化性,断裂韧性高达18.1MPa·m1/2。

    高分散棒状纳米氧化锆的制备方法

    公开(公告)号:CN101823765B

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN201010182571.3

    申请日:2010-05-17

    Abstract: 本发明提供一种高分散棒状纳米氧化锆的制备方法,属于纳米材料制备技术领域,其特征在于采用以下步骤:(1)在搅拌条件下,将0.05~1mol/L硼氢化钠溶液滴入0.05~1mol/L氧氯化锆溶液中,生成凝胶,继续滴定生成白色沉淀,搅拌0.5~12h,然后将沉淀用蒸馏水或无水乙醇抽滤洗涤数次,直至洗液显中性为止;(2)向沉淀中加入莰烯,加热至60~100℃,搅拌混合形成料浆;(3)在温度低于20℃的环境中冷冻成型,将凝固的料浆放在室温空气环境中停留4~10天,待莰烯完全挥发后放到烧结炉中,500~900℃煅烧2h,即得高分散棒状纳米氧化锆。本发明工艺简单,操作安全,成本低,合成的棒状纳米氧化锆,长径比大于3倍。

    沉淀法合成片状纳米氧化锆的制备工艺

    公开(公告)号:CN101830507A

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:CN201010182584.0

    申请日:2010-05-17

    Abstract: 本发明提供一种沉淀法合成片状纳米氧化锆的制备工艺,属于纳米材料制备技术领域。其特征在于:在搅拌条件下,将0.05~1mol/L硼氢化钠溶液滴入0.05~1mol/L氧氯化锆溶液中,先生成凝胶,继续滴定生成白色沉淀,搅拌0.5~24h,然后将沉淀用蒸馏水或无水乙醇抽滤洗涤数次,直至洗液显中性为止,50~90℃干燥得到的粉体,500~900℃煅烧2h,即得片状纳米氧化锆粉体。本发明工艺简单,操作安全,成本低,不造成污染,合成的片状纳米氧化锆,沿层面平行方向的尺寸大于其厚度20倍,且分散性好。

    高分散棒状纳米氧化锆的制备方法

    公开(公告)号:CN101823765A

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN201010182571.3

    申请日:2010-05-17

    Abstract: 本发明提供一种高分散棒状纳米氧化锆的制备方法,属于纳米材料制备技术领域,其特征在于采用以下步骤:(1)在搅拌条件下,将0.05~1mol/L硼氢化钠溶液滴入0.05~1mol/L氧氯化锆溶液中,生成凝胶,继续滴定生成白色沉淀,搅拌0.5~12h,然后将沉淀用蒸馏水或无水乙醇抽滤洗涤数次,直至洗液显中性为止;(2)向沉淀中加入莰烯,加热至60~100℃,搅拌混合形成料浆;(3)在温度低于20℃的环境中冷冻成型,将凝固的料浆放在室温空气环境中停留4~10天,待莰烯完全挥发后放到烧结炉中,500~900℃煅烧2h,即得高分散棒状纳米氧化锆。本发明工艺简单,操作安全,成本低,合成的棒状纳米氧化锆,长径比大于3倍。

    湿纺-浸渍法制备双界面纤维独石硼化锆复合材料

    公开(公告)号:CN111892407A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010557834.8

    申请日:2020-06-18

    Abstract: 本发明提供一种湿纺-浸渍法制备双界面纤维独石硼化锆复合材料,其特征在于采用以下步骤:1)湿纺法制备纤维独石前驱体,先将固化剂和增塑剂加入有机溶剂中搅拌溶解,再加入硼化锆陶瓷粉料,制成喷丝液,通过喷丝头喷入凝胶槽中,即得纤维独石前驱体;2)浸渍法涂覆内界面层;3)浸渍法涂覆外界面层,即得具有双界面层的纤维独石前驱体;4)温压成型;5)真空脱脂;6)热压烧结,即得双界面纤维独石硼化锆复合材料,其断裂韧性可达8MPa•m1/2以上。本发明所得的双界面纤维独石硼化锆复合材料,弱质材料的三维联通结构被改变,能有效地减少弱质材料被氧化,达到断裂韧性和抗氧化烧蚀性协同提高。

    一种Ag@Au@Pd纳米立方空壳结构的制备方法

    公开(公告)号:CN110202163A

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201910424526.5

    申请日:2019-05-21

    Abstract: 本发明涉及一种Ag@Au@Pd纳米立方空壳结构的制备,其制备采用湿化学方法,在制备过程中,以Ag纳米立方体为基体,然后利用电化学置换反应和化学还原制备侧面带凹坑或孔洞的Ag@Au纳米立方体,最后通过电化学置换反应在Ag@Au纳米立方体表面沉积Pd原子,得到侧面带孔洞的Ag@Au@Pd纳米立方空壳结构。该方法的特征在于:以Ag纳米立方体为基体,以HAuCl4、L-抗坏血酸(C6H8O6)、NaOH、去离子水、十六烷基-三甲基-氯化铵(Cetyltrimethylammonium chloride,CTAC)为原料制备侧面带凹坑或孔洞的Ag@Au纳米立方体,然后在Ag@Au纳米立方体表面以去离子水、十六烷基-三甲基-氯化铵(CTAC)、Na2PdBr4为原料沉积Pd原子,获得Ag@Au@Pd纳米立方空壳结构。

    棒状硼化锆粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN103864085A

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201410115397.9

    申请日:2014-03-26

    Abstract: 本发明提供一种棒状硼化锆粉体的制备方法,属于粉体材料制备技术领域。其特征在于采用以下步骤:以棒状四氯化锆粉体为原料,棒状四氯化锆粉体直径为5~10μm,长度为100~200μm,纯度大于99%,加热至900~1100℃保温0.2~1h,得到棒状氧化锆粉体;再将棒状氧化锆粉体、三氧化二硼粉体、碳粉按摩尔比为1:1:5混合,在氩气气氛下烧结,烧结温度为1600~1800℃,保温时间为0.5~2h,即得棒状硼化锆粉体。本发明工艺简单,操作安全,成本低,易于产业化,制备的棒状硼化锆粉体,分散性好,长径比大于2倍。

    水淬法制备氧化铪空心球粉体的方法

    公开(公告)号:CN103833077A

    公开(公告)日:2014-06-04

    申请号:CN201410096974.4

    申请日:2014-03-17

    Abstract: 本发明提供一种水淬法制备氧化铪空心球粉体的方法,属于纳米粉体材料领域,其特征在于:采用水淬法,以四氯化铪为原料,升温速率5~10℃/min,加热至900~1100℃保温0.2~1h,水淬,水淬溶液温度为10~30℃,水淬溶液为氨水溶液,水淬溶液的PH值为8~10,即得氧化铪空心球粉体。粉体形貌为空心状,球直径为20μm左右,壁厚500nm左右。本发明工艺简单,操作安全,煅烧温度低,空心球分离度好,球形结构完整。

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