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公开(公告)号：CN1783217A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510051143.6
申请日：2005-02-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C25D3/562 , G11B5/232 , G11B5/235 , G11B5/3163
Abstract: 本发明的方法可以容易而安全地形成NiP非磁性膜。在通过电解电镀形成NiP非磁性膜的方法中，电解电镀在由以下组分构成的NiP电镀溶液中进行：提供镍离子的试剂；提供磷离子的试剂；和包含羧基的试剂。例如，镍的硫酸盐和氯盐等可以用作提供镍离子的试剂；磷酸、亚磷酸钠等可以用作提供磷离子的试剂。
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