公开(公告)号：CN107370370A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710183034.2

申请日：2017-03-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 窪内源宜 ,  侯昊

IPC: H02M3/155 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明提供一种升压斩波电路，其开关元件电路中的至少一部分元件的耐压比在开关元件电路的两端之间与防回流二极管电路串联连接的电容器电路的耐压低。

公开(公告)号：CN102315107B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201110188635.5

申请日：2011-06-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 中泽治雄 ,  窪内源宜

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，它能够充分地激活较深的离子注入层，并完全恢复离子注入过程中所产生的晶格缺陷。连续地发射激光脉冲(21a至25a)，以形成基本上为CW(连续波)的激光。本发明的该特征能够在大约2μm处稳定的进行较深处离子注入层的激活，且产生较少的缺陷。

公开(公告)号：CN102315107A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110188635.5

申请日：2011-06-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 中泽治雄 ,  窪内源宜

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，它能够充分地激活较深的离子注入层，并完全恢复离子注入过程中所产生的晶格缺陷。连续地发射激光脉冲(21a至25a)，以形成基本上为CW(连续波)的激光。本发明的该特征能够在大约2μm处稳定的进行较深处离子注入层的激活，且产生较少的缺陷。