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公开(公告)号：CN114944426A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202111613299.4
申请日：2021-12-27
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/45 , H01L21/04 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供能够在具备AlSi电极的碳化硅半导体装置中使成品率提高的碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。通过溅射在由碳化硅构成的半导体基板的表面设置有由包含硅的铝合金构成的AlSi电极。在AlSi电极中析出有Si结节。AlSi电极在成为至少与键合线的接合部的部分中，以相对于该接合部处的Si结节的总面积为10％以上的面积比率包含枝晶结构的Si结节。AlSi电极中的Si结节的高度在枝晶结构和棱柱结构中的任一结构的Si结节中均为2μm以下。在AlSi电极的溅射时，将半导体基板的温度或AlSi电极的形成区域周边的温度、或者这两种温度设为430℃以上且500℃以下。
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