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公开(公告)号：CN106206217A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610777972.0
申请日：2016-08-31
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于太赫兹器件电子枪制造所用的异形阳极结构，其采用真空熔炼钼加工获得，整个阳极设计成一个整体，阳极通孔成矩形结构，对矩形电子束具有控制加速作用。
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公开(公告)号：CN105161815A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510497068.X
申请日：2015-08-12
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01P11/00
Abstract: 本发明公开了一种制备矩形波导的方法，包括：一种制备矩形波导的方法，包括：(a)将第一模杆(4)置于坯管(3)管腔的一端；(b)通过外力挤压所述坯管(3)以使得所述坯管(3)的内壁与所述第一模杆(4)的外表面紧密接触；(c)将第二模杆(5)置于所述坯管(3)管腔的另一端；(d)在所述坯管(3)管腔的外表面上设置夹持模具；(e)固定所述第一模杆(4)，牵引所述坯管(3)沿所述第二模杆(5)所在的一端的方向移动，形成矩形波导毛坯件；(f)截取所述矩形波导毛坯件并加工形成矩形波导。该制备矩形波导的方法操作简单，避免焊接过程中对矩形波导精度的影响，提高了矩形波导的生产效率。
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公开(公告)号：CN103700561A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310732969.3
申请日：2013-12-27
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于钡钨阴极的活性组合物及其制备方法和钡钨阴极的制备方法。本发明提供的用于钡钨阴极的活性组合物含有碳酸钡、碳酸钙以及铝粉，以100重量份的碳酸钙为基准，碳酸钡的含量可为1200-1500重量份，铝粉的含量可为80-140重量份；优选地，以100重量份的碳酸钙为基准，碳酸钡的含量为1360-1410重量份，铝粉的含量为100-120重量份。本发明通过对碳酸钡、碳酸钙和铝粉的配比的优化，同时简化钡钨阴极活性物质的制备方法及钨钡阴极的制备过程，提高了铝酸盐钡钨阴极的电流发射能力，同时也降低工艺难度和成本。
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公开(公告)号：CN106229246B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201610789938.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01J23/075 , H01J23/05
Abstract: 本发明公开真空电子磁控管的冷阴极电子枪，磁控管上设置有强磁场，该冷阴极电子枪包括：阳极单元，阳极单元呈环状结构，且内部形成一个容纳腔；铜基底，铜基底呈空心柱状，且与阳极单元同轴相间隔地设置，铜基底的一端延伸至容纳腔中；冷阴极，冷阴极包覆于铜基底的外表面上；加热阴极，加热阴极和铜基底同轴相间隔设置，且加热阴极的表面能够发射电子。该真空电子磁控管的冷阴极电子枪克服了现有技术中的冷阴极寿命不高的问题，提高了冷阴极电子枪的寿命。
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公开(公告)号：CN104037038B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410200317.X
申请日：2014-05-13
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用同种材料薄板制备矩形光栅结构的方法，通过两种不同厚度的薄板按照一定规则交叉叠加来制作具有一定周期结构的光栅，光栅的周期由两种薄板的厚度决定，光栅槽的宽度由其中一种薄板的厚度决定，而光栅槽的深度由两种薄板侧面的面间距决定。该方法能够制备出深宽比大、侧面光滑陡峭的高精度光栅，该光栅结构可广泛应用到真空电子器件的慢波结构和精细加工模具的制造中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103641062A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310694352.7
申请日：2013-12-17
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种制备微纳结构的方法，包括以下步骤：1）首先，选择一种基板，基板溶于刻蚀溶液；2）在基板上沉积一层膜层，膜层不溶于刻蚀溶液；3）在膜层上沉积一层牺牲层，牺牲层溶于刻蚀溶液；4）根据要制备结构，重复步骤2）和步骤3）；5）将步骤4）沉积所得层结构和基板一起固定在基底上，基底不溶于刻蚀溶液；6）将步骤5）所得样品放入刻蚀溶液中，将基板和牺牲层刻蚀掉，得到膜层与基底形成的微纳结构。通过简单的操作步骤，就可以制备出尺寸精度高、表面光洁度好、深度比大、一致性好和侧壁陡的结构；且加工出的结构最小特征尺寸范围大，可以从光学加工的纳米数量级到机械加工的米数量级，适用范围广。
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公开(公告)号：CN206022581U
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201620919086.2
申请日：2016-08-23
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01P1/00
Abstract: 本实用新型公开了一种应用于太赫兹器件位移调谐机构，包括调谐连接筒和调谐螺母，套装于调谐连接筒外的定位导筒，以及第一密封垫圈、位移波纹管和第二密封垫圈；第二密封垫圈套装于定位导筒外，并与定位导筒固定密封连接；第一密封垫圈套装于调谐连接筒外，并与调谐连接筒固定密封连接；第二密封垫圈的底面设有第二台阶部，第二台阶部与位移波纹管的一端相连，第一密封垫圈的顶面设有第一台阶部，第一台阶部与位移波纹管的另一端相连；调谐连接筒的顶面开设有螺牙通孔；调谐连接筒的外圆设有螺牙，用于与调谐螺母连接，调谐螺母通过旋转压迫第二密封垫圈的顶面。有益效果：具有结构简单、位移行程大，可调谐频率范围比较宽的优点。
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公开(公告)号：CN205488025U
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201521139254.8
申请日：2015-12-31
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01J23/087
Abstract: 本实用新型公开了一种用于电子注长距离传输的恒磁聚焦系统，包括两组相对固接并平行设置的子磁系统且两组子磁系统之间形成有供电子注通过的空腔；子磁系统包括圆柱形外壳和设置在外壳中的圆柱形软磁铁和多个扇形磁片，其中，软磁铁的直径与扇形磁片的内径相同且高度小于扇形磁片的厚度；软磁铁同轴竖直设置在外壳中且一端突出外壳的顶表面并朝向另一子磁系统上的软磁铁延伸靠近，多个扇形磁片绕软磁铁的轴向方向围设并抵靠在软磁铁的外壁上；其中一个子磁系统的所有扇形磁片的充磁方向沿扇形径向由内向外，另一个子磁系统的所有扇形磁片的充磁方向沿扇形径向由外向内。该恒磁聚焦系统结构紧凑、体积小、质量轻，并且产生的磁场强度大。
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公开(公告)号：CN205723434U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620605467.3
申请日：2016-06-20
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01J23/36
Abstract: 本实用新型公开了一种应用于太赫兹器件的输能窗，包括依次相连的法兰盘、玻璃环和能量传输介质片；所述法兰盘的一端用于与太赫兹器件的输出部件连接、另一端与玻璃环的一端相连，所述法兰盘另一端的连接部表面设有氧化亚铜层，所述玻璃环的一端高温软化后包裹于法兰盘另一端的连接部；所述能量传输介质片用于太赫兹波束与外界转接波导的能量耦合、和玻璃环连接处采用低温玻璃粉膏剂进行密封后烘干。本实用新型提供一种应用于太赫兹器件的输能窗，具有结构简单、制作工艺方便，且工艺可重复性好，焊接合格率高、同时还具有高频能量传输效率高、损耗小的特点，实现与外界转接波导方便连接，可直接将能量耦合到波导中进行能量传输。
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公开(公告)号：CN203909161U
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201420209691.1
申请日：2014-04-28
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种电子枪检测装置，包括法兰盘、托架、冷却管、检测基座、磁铁、电极、导电铂片、瓷棒；所述冷却管为L形，进出冷却液端口贯穿于所述法兰盘，所述检测基座设置于所述冷却管上，冷却管位于检测基座上的部分向检测基座外折弯；所述检测基座为上部开孔的中空结构，在检测基座与法兰盘平行的两端设置有磁铁；在所述法兰盘上设置有电极，所述托架固定于法兰盘上，所述瓷棒固定于托架上，所述导电铂片固定于瓷棒上。此种电子枪检测的结构，结构简单，加入的冷却系统，能极大的保证了电子枪在检测时由高电压引起的高温对电子枪产生的影响，使数据结果准确，确保了检测技术的稳定性。
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