一种射频功分器
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118554910A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410561004.0

    申请日:2024-05-08

    Abstract: 本申请属于电子通信技术领域,公开了一种射频功分器,包括PCB板、第一射频连接器、第一平衡补偿电路、两个第二平衡补偿电路以及四个第二射频连接器;第一平衡补偿电路与第一射频连接器和第二平衡补偿电路连接,每个第二平衡补偿电路与两个第二射频连接器连接;第一平衡补偿电路用于对第一射频连接器输入的射频信号进行相位补偿后均分为两路能量相等的射频信号输入至两个第二平衡补偿电路,第二平衡补偿电路用于对进入的射频信号进行相位补偿后,均分为两路能量相等的射频信号从对应的两个第二射频连接器输出;从第一射频连接器分别到四个第二射频连接器的四路传输路径一致;从而能够有效减小发热和减小插损,进而提高输出功率和输出效率。

    一种NB-IOT设备的信号强度优化方法及相关设备

    公开(公告)号:CN117880861A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202410287643.2

    申请日:2024-03-13

    Abstract: 本申请提供了一种NB‑IOT设备的信号强度优化方法及相关设备,涉及窄带物联网信号优化技术领域。本申请提供的NB‑IOT设备的信号强度优化方法,首先根据预设的步长对时间划分为多个时间段,获取各个时间段的多组特征参数以及相应的实测信号强度,用以构建各个时间段的训练集和测试集,然后基于BP神经网络进行训练以获得各个时间段对应的信号强度预测模型,从而能够直接根据各个时间段对应的信号强度预测模型对各个时间段的信号强度进行优化,以得到对应时间段内的最佳信号强度。

    远距离通信方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117792929A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311624335.6

    申请日:2023-11-30

    Abstract: 本申请属于窄带物联网通信的技术领域,公开了一种远距离通信方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:获取目标终端的通信信号特征数据,以及通信数据库的通信训练样本,根据通信信号特征数据,结合二元正交调制方式,构建窄带物联网通信信号模型,利用通信训练样本,优化窄带物联网通信信号模型,得到优化后的窄带物联网通信信号模型,基于优化后的窄带物联网通信信号模型,调整通信信号特征数据,得到最短信号接收时间,以进行目标终端的远距离通信,通过优化后的窄带物联网通信信号模型,对目标终端的通信信号特征数据进行调整,计算得到最短信号接收时间,以对目标终端进行远距离通信,提高了远距离通信的通信效率。

    一种降低NB-IOT设备功耗的方法及相关设备

    公开(公告)号:CN116963178B

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311225315.1

    申请日:2023-09-21

    Abstract: 本申请涉及数据处理技术领域,公开了一种降低NB‑IOT设备功耗的方法及相关设备,设备终端将需要发送的数据与第一预存数据库的参考数据进行对比,根据对比结果,把需要发送的数据转换为由参考数据编号和/或数据包组成的待发数据,向NB‑IOT设备发送待发数据;NB‑IOT设备接收设备终端发来的待发数据,并转发至基站;基站用于接收NB‑IOT设备转发的待发数据,在待发数据包含参考数据编号的时候,根据参考数据编号,在第二预存数据库中查找对应的参考数据作为目标数据,将待发数据中的参考数据编号替换为目标数据,由目标数据和/或数据包组成最终数据,将最终数据转发至目标终端。可以有效降低NB‑IOT设备的功耗。

    一种具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体及其制备方法和高温超导线圈

    公开(公告)号:CN113774348A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202111107898.9

    申请日:2021-09-22

    Abstract: 本申请涉及超导材料领域,公开了一种具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体及其制备方法和高温超导线圈,包括以下步骤:以高温超导体为基底,将高温超导体放入高能脉冲磁控溅射设备的腔体内,以金属钒为靶材;腔体抽真空,不加热基底;通入氩气,调整气压,设置高能脉冲电源功率、脉冲频率、脉宽;通入氧气,在高温超导体表面沉积薄膜;通入氮气卸去真空,得到所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体。本申请的所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体的制备方法,利用高能脉冲磁控溅射技术具有高离化率的特点,实现了在室温不加热的条件下在高温超导体表面沉积具有电阻可调性能的非晶氧化钒薄膜,所述非晶氧化钒薄膜用于高温超导材料的失超保护。

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