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公开(公告)号：CN115394216A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211283757.7
申请日：2022-10-20
Applicant: 季华实验室
IPC: G09F9/33
Abstract: 本公开涉及一种显示装置和显示设备，涉及显示技术领域。显示装置包括：第一发光单元、至少一个第二发光单元和合色棱镜。第一发光单元和至少一个第二发光单元分别设置在合色棱镜的不同入光面；合色棱镜用于将第一发光单元和第二发光单元的出射光合成后出射；第一发光单元包括多个第一发光元件；第二发光单元包括多个第二发光元件。第一发光单元为无源驱动模式；第二发光单元为有源驱动模式。本公开能够使各个发光单元的发光效率达到最大化，并且不影响亮度均匀性，确保显示装置的显示效果。
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公开(公告)号：CN117253901A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311520227.4
申请日：2023-11-15
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
IPC: H01L27/15 , H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/60 , G09F9/33
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示芯片以及显示芯片的制备方法。其中，显示芯片包括：驱动基板和键合在驱动基板上的显示模组，显示模组包括背光部和出光部，背光部包括发光二极管，发光二极管向出光部提供光源；出光部包括出光结构，出光结构与发光二极管一一对应设置，出光结构包括间隔设置的至少一个光作用层和多个光谱过滤层；发光二极管的阳极呈碗状，阳极作为发光二极管的反射层。本公开的技术方案，可有效提高光转换效率以及滤光效率，有利于减小光作用层的厚度和使用量，进而有利于降低芯片厚度。
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公开(公告)号：CN116705924A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310977065.0
申请日：2023-08-04
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种发光单元转移方法及筛网，能够解决现有技术存在的发光效率受影响的技术问题。该发光单元转移方法包括：制备三种晶圆，三种晶圆上分别形成有三种颜色的发光单元，发光单元表面形成有凸起结构，不同颜色的发光单元上的凸起结构各不相同；利用激光剥离工艺，将发光单元从晶圆上剥离；将发光单元置于转移流体中；通过转移流体，将发光单元转移至筛网上，筛网上形成有三种网洞，分别与三种凸起结构相匹配，发光单元上的凸起结构嵌入相匹配的网洞中；将筛网上的发光单元与驱动芯片进行键合，并将凸起结构与发光单元脱离。
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公开(公告)号：CN116247137A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310524826.7
申请日：2023-05-11
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及LED技术领域，尤其涉及一种全彩Micro LED芯片制备方法及全彩Micro LED芯片，首先提供CMOS晶圆，然后提供红光晶圆与CMOS晶圆键合，去除红光晶圆的第二衬底，以使红光发光单元转移到CMOS晶圆上，绿光晶圆和蓝光晶圆的设置过程同上。通过上述过程，本公开中的全彩Micro LED芯片制备方法可以通过三次转移分别将红光、绿光和蓝光发光单元分别键合到CMOS晶圆上，得到全彩化的Micro LED晶圆，从而能够克服巨量转移技术和量子点色转换技术的种种缺陷，实现低成本批量生产，而且可以保证较高的良率。
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公开(公告)号：CN115820210A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211423032.3
申请日：2022-11-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及磁力研磨技术领域，尤其涉及一种磁性复合磨粒、研磨液及研磨装置。磁性复合磨粒包括多层，磁性复合磨粒的内核为磁性纳米颗粒，磁性纳米颗粒作为内核，主要是为了提供磁性，以与电磁铁配合控制磁性复合磨粒的分布。磁性纳米颗粒的外层包裹有聚合物，聚合物的外层包裹有多孔杂化膜层，多孔杂化膜层上嵌设有第一磨粒，多孔杂化膜层的外层包裹有第二磨粒。其外层包裹的第二磨粒在低压研磨时会起到主要的研磨作用，在研磨过程中，若第二磨粒不能起到足够的研磨效果时，第一磨粒会在压强较大处由于较大压强而释放，以此来增加研磨速度，增大工件凸起处的材料去除率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115621386B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211630926.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法，涉及显示技术领域。发光二极管包括：发光芯片，发光芯片包括第一型半导体层、第二型半导体层和发光层，发光芯片包括阵列排布的多个子发光区；多个第一凹槽结构，第一凹槽结构贯穿至少部分第一型半导体层；相邻第一凹槽结构围绕子发光区；挡墙结构，挡墙结构位于第一凹槽结构内；多个第二凹槽结构，第二凹槽结构贯穿部分第一型半导体层，且位于相邻第一凹槽结构围绕区域内，子发光区与第二凹槽结构对应设置；多个颜色转换层，颜色转换层位于第二凹槽结构内。通过本公开的技术方案，提高了出光率，改善了显示效果，避免了光串扰的问题。
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公开(公告)号：CN115621386A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211630926.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法，涉及显示技术领域。发光二极管包括：发光芯片，发光芯片包括第一型半导体层、第二型半导体层和发光层，发光芯片包括阵列排布的多个子发光区；多个第一凹槽结构，第一凹槽结构贯穿至少部分第一型半导体层；相邻第一凹槽结构围绕子发光区；挡墙结构，挡墙结构位于第一凹槽结构内；多个第二凹槽结构，第二凹槽结构贯穿部分第一型半导体层，且位于相邻第一凹槽结构围绕区域内，子发光区与第二凹槽结构对应设置；多个颜色转换层，颜色转换层位于第二凹槽结构内。通过本公开的技术方案，提高了出光率，改善了显示效果，避免了光串扰的问题。
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公开(公告)号：CN114843383A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210764080.2
申请日：2022-07-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种LED结构及其制造方法、LED显示屏。LED结构，包括尺寸面，所述LED结构还包括两组以上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括发光部分，所述发光部分至少有部分呈预设角度倾斜于LED结构的尺寸面，所有半导体发光结构的发光部分的面积之和大于LED结构的尺寸面的面积。本公开通过将发光部分的部分倾斜于LED结构的尺寸面设置，可以在不改变LED结构尺寸的情况下实现更高的亮度，并且通过在LED结构内设置两个及以上的半导体发光结构，通过各个半导体发光结构分摊驱动更高亮度的大电流，可以在不改变LED结构尺寸的情况下实现更高的亮度的同时获得更高的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114839773A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210787811.5
申请日：2022-07-06
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及光学系统技术领域，尤其涉及一种界面结构、显示装置及头戴式可视设备。界面结构，包括界面，所述界面结构还包括设置在界面内侧的红外发射器、红外接收器、第一偏振选择器和第二偏振选择器，所述红外发射器的信号发射窗口设有第一偏振选择器以发出第一偏振方向的红外光，所述红外接收器的信号接收窗口设有第二偏振选择器以接收第二偏振方向的红外光，所述第一偏振方向和第二偏振方向相互垂直，所述界面结构还包括偏振转换器，所述界面设有偏振转换器，以将经过界面的第一偏振方向的红外光转换为第二偏振方向的红外光。本技术方案可以在保证测量结果正确的情况下，减少红外发射器和红外接收器所占据的空间。
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公开(公告)号：CN116845081B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311091291.5
申请日：2023-08-29
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
IPC: H01L27/15 , G02F1/1335 , G02B27/01
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种AR显示芯片、AR显示芯片的制备方法及AR显示系统。其中，AR显示芯片包括：TFT基板和发光部，TFT基板和发光部通过各向异性导电胶层键合在一起；TFT基板上设置有阵列排布的第一阳极触点和第二阳极触点；发光部包括阵列排布的像素区，相邻像素区之间设置有液晶区；像素区包括像素单元，液晶区包括液晶单元，像素单元的第一阳极与第一阳极触点一一对应设置，液晶单元的第二阳极与第二阳极触点一一对应设置；绝缘胶层，绝缘胶层覆盖在发光部上。本公开的技术方案，避免了光波导带来的光学损耗，有利于提高AR显示效果，以及有利于实现AR显示系统的小型化设置。
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