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公开(公告)号：CN112014329A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202011128946.8
申请日：2020-10-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及太赫兹成像技术领域，提供了一种半导体产品内部结构成像系统及方法，该系统包括用于发射第一太赫兹波的发射装置；靠近所述发射装置的发射端设置的光调制装置，用于将所述发射装置发射的第一太赫兹波进行空间编码形成具有空间分布的第二太赫兹波，并穿透待测物体得到包含所述待测物体的内部结构图像数据的第三太赫兹波；相对于所述光调制装置设置的接收装置，用于接收所述第三太赫兹波并转化成电信号；及与所述接收装置电连接的远程终端设备，用于接收所述电信号并提取所述图像数据构建所述待测物体的内部结构图像。本发明具有使成像后的图像轮廓更清晰，成像精度更高的优点。
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公开(公告)号：CN112001866A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202011174933.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 季华实验室
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明公开了一种多退化模型太赫兹图像复原方法、装置、存储介质和终端，复原方法结合了CNN和多重退化模型，其中多重退化模型重点考虑了造成太赫兹图像退化的三个因素:模糊核及其形式、噪声和下采样器；设计的CNN从多重退化模型中学习，然后提高太赫兹图像的质量；并且根据太赫兹光束的特点提出了用各向异性高斯模糊核代替各向同性高斯核的先验知识，以提高太赫兹图像复原的质量；另外，针对太赫兹复原网络训练缺乏HR、LR图像对作为训练集的问题，本复原方法利用X光图像作为HR图像，用所构建的太赫兹图像多重退化模型，对X光图像进行退化，得到模拟的太赫兹图像作为LR图像，从而完成训练集的构建。
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公开(公告)号：CN112014329B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011128946.8
申请日：2020-10-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及太赫兹成像技术领域，提供了一种半导体产品内部结构成像系统及方法，该系统包括用于发射第一太赫兹波的发射装置；靠近所述发射装置的发射端设置的光调制装置，用于将所述发射装置发射的第一太赫兹波进行空间编码形成具有空间分布的第二太赫兹波，并穿透待测物体得到包含所述待测物体的内部结构图像数据的第三太赫兹波；相对于所述光调制装置设置的接收装置，用于接收所述第三太赫兹波并转化成电信号；及与所述接收装置电连接的远程终端设备，用于接收所述电信号并提取所述图像数据构建所述待测物体的内部结构图像。本发明具有使成像后的图像轮廓更清晰，成像精度更高的优点。
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公开(公告)号：CN112394545A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011140474.8
申请日：2020-10-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于量子点的太赫兹调制器及制备方法，太赫兹调制器包括由下至上依次设置的基底材料层、石墨烯薄膜层、量子点层；通过在石墨烯薄膜上设置量子点材料，利用量子点在泵浦光激励下产生大量光生载流子，利用石墨烯薄膜的高迁移率特性，光生载流子快速向石墨烯薄膜扩散转移，实现光生载流子电子‑空穴对分离，使石墨烯薄膜的载流子浓度和电导率快速增加，进而获得较高的太赫兹调制深度与调制速率，实现对太赫兹波的高效调控；此外，本基于量子点的太赫兹调制器结构简单，制作方便，适于推广应用。
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公开(公告)号：CN112215445A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011427559.4
申请日：2020-12-09
Applicant: 季华实验室
IPC: G06Q10/04 , G06Q10/06 , G06Q50/04 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06N7/00 , B05B12/12 , B05B12/08 , H01L51/56 , H01L51/50
Abstract: 本发明公开了一种发光层制备多喷嘴喷射调度方法、装置、存储介质和终端，将多喷嘴喷射调度问题转化为深度强化学习问题，在实现深度强化学习方法的过程中，为每个喷嘴建立Agent,有效避免了同时对几千个喷嘴进行调度运算的难题；不仅实现了多喷嘴的喷射调度，而且还能够适应显示面板上子像素形状/大小/空间分布的变化，也能够适应喷嘴的动态变化，实现了在动态环境下也能够实现面向印刷OLED发光层的多喷嘴喷射调度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113960061B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111580782.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于显示技术领域，公开了一种OLED喷印缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质，通过获取已完成像素点发光墨水喷印且未封装的OLED显示器件的像素点内至少一个探测位置点的太赫兹反射波时域数据；太赫兹反射波时域数据是用预设光强的太赫兹脉冲波周期性地照射所述像素点的所述探测位置点时，由所述像素点反射的反射波的光强数据；根据各所述太赫兹反射波时域数据获取各所述探测位置点的指纹谱数据；提取各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值；对比各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与所述像素点的峰值阈值，以判断所述像素点是否为坏点；从而可在封装前准确地检测各像素点是否有坏点，以便于在发现坏点时可进行修复。
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公开(公告)号：CN113744162A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111294870.0
申请日：2021-11-03
Applicant: 季华实验室
IPC: G06T5/00
Abstract: 本申请属于图像处理技术领域，公开了一种工业产品图像增强方法、装置、电子设备及存储介质，通过获取待处理的太赫兹图像；对所述待处理的太赫兹图像进行恢复亮度处理；基于优化MSR算法对恢复亮度处理后的太赫兹图像进行增强处理，得到增强图像；从而不仅可以恢复图像场景亮度，消除雾霾，而且可以较好地平衡图像的灰度动态范围和边缘增强，得到的增强图像的细节特征清晰，有利于更准确地检测产品质量。
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公开(公告)号：CN112233201A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011467825.6
申请日：2020-12-14
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹图像重构方法、装置、存储介质及终端，获取目标样品的时域谱数据；将所述目标样品的时域谱数据变换成频域数据；将所述频域数据输入太赫兹图像重构模型，得到目标矩阵；通过所述目标矩阵获得目标图像；本技术方案的太赫兹图像重构模型简单，在保证太赫兹图像复原效果的同时，使得整个太赫兹图像重构过程计算量更低，效率更高。
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公开(公告)号：CN112014349A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202011201582.1
申请日：2020-11-02
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N21/3586
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹时域光谱成像复原方法、装置、存储介质及终端，复原方法通过小波变换技术降低太赫兹信号的噪声，尤其是降低高频部分的噪声，得到的太赫兹图像噪声水平更低，而且降低了图像复原过程的病态性；在所建立的基于高斯光束理论的太赫兹图像退化模型中，建立了反映太赫兹成像系统的特性的太赫兹光束束腰半径，包括太赫兹成像系统的截断比、辐照度水平、焦距、聚焦透镜直径、数值孔径等，解决了仅通过粗略估计方法得到的束腰半径严重影响点扩散函数计算精度的问题；建立基于高斯光束理论模型的点扩散函数，实现了对太赫兹图像退化原因的更准确描述，不仅可以降低太赫兹图像的噪声，并且提高太赫兹图像的分辨率。
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公开(公告)号：CN111968119A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202011130171.8
申请日：2020-10-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及数据处理领域，提供了一种基于半导体缺陷检测的图像处理方法、装置、设备及介质，该方法包括获取的半导体全频段内部结构图像集，从内部结构图像集中选取频段不同的图像作为源图像；对源图像进行处理得到高通图像块及低通图像块，对低通图像块转换得到低通向量，对低通向量进行编码得到对应的稀疏系数向量，对所有稀疏系数向量进行融合处理得到低通融合向量；对高通图像块转换得到高通向量，根据高通向量与低通向量构建每张源图像的向量集，对所有向量集进行融合处理得到全通融合向量；将低通融合向量与全通融合向量进行重构得到目标向量，将目标向量转换成目标图像。本发明能够提升半导体成像的清晰度，以提升半导体缺陷检测精度。
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