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公开(公告)号：CN116705469B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310985201.0
申请日：2023-08-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种LLC变压器装配结构及其装配方法，属于变压器装配领域，装配结构包括电路板、温度传感器和磁芯，电路板的边缘垂直地连接有金属底座；温度传感器的引脚与电路板焊接，探头通过金属固定件固定；磁芯的两侧设置有安装孔，金属底座配有依次穿过金属固定件、安装孔、金属底座的第一螺丝，以将磁芯安装在金属底座上，且将温度传感器的探头压在磁芯的表面，可将金属底座装配到水冷板上，利用金属底座导热将磁芯的热量快速传递到水冷板，温度传感器探测磁芯表面的温度间接监控绕组的温度，可用金属固定件长久、牢固地将温度传感器的探头固定在磁芯表面，感应电流可经第一螺丝流入大地，大幅降低涡流效应对温度传感器的影响。
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公开(公告)号：CN114885456B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210789567.6
申请日：2022-07-06
Applicant: 季华实验室
IPC: H05B41/36
Abstract: 本申请属于磁控管控制技术领域，公开了一种磁控管灯丝控制电路，包括电压环路、电流环路、光耦、控制芯片和辅助电源；电流环路的输出端连接于光耦的原边，光耦的副边与控制芯片连接；电压环路的输出端与电流环路连接；电压环路用于比较磁控管灯丝的设置电压和采样电压以向电流环路输出调理压差；电流环路用于比较磁控管灯丝的参考电流等效电压和采样电流等效电压以控制光耦的原边的通断；参考电流等效电压为磁控管灯丝的设置电流等效电压与调理压差之和；控制芯片用于根据光耦副边的输出信号调整输出PWM信号以调整磁控管灯丝的功率；使用该磁控管灯丝控制电路有利于保证磁控管灯丝温度稳定。
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公开(公告)号：CN119355571A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411939683.7
申请日：2024-12-26
Applicant: 季华实验室
IPC: G01R31/40
Abstract: 本发明提供了一种射频电源测试系统、射频电源性能优化方法及相关设备，涉及射频电源测试技术领域。包括射频电源和测试装置，测试装置与射频电源连接且包括移相电路和可变负载电路，测试装置用于通过移相电路调整相位以及通过可变负载电路调整负载阻抗以此模拟变化的负载。本发明的射频电源测试系统解决传统射频电源负载测试设备缺少针对射频电源负载等驻波圆上不同相位变化的测试的问题，达到便于用户调整测试参数、有利于优化射频电源性能的效果。
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公开(公告)号：CN114354994B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202210044159.8
申请日：2022-01-14
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及微波电源保护领域，具体为一种微波电源测试平台的水冷保护结构，包括冷水机和微波电源测试平台，冷水机通过水管连接形成主水路；每一个微波电源测试平台包括一台微波电源且根据对应的微波电源的输出功率安装有独立的冷却水保护系统；冷却水保护系统用于确保各个微波电源测试平台能够单独从主水路中获取冷却水；每一微波电源出水口与冷水机第一进水口之间设置有第一测量计；第一测量计用于测量冷却水的流量和温度。本发明通过对各个微波电源测试平台设置能够从主水路中独立取水的冷却水保护系统，同时监测冷却水回流的情况，有利于确保测试过程的安全性，同时提高测试平台的稳定性。
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公开(公告)号：CN117479419A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311618636.8
申请日：2023-11-30
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于电子通信技术领域，公开了一种射频功率放大器的导热导电结构，包括射频功率放大器电路板，射频功率放大器电路板上设置有双管推挽电路，双管推挽电路包括两个功放管；射频功率放大器电路板底部叠置有散热板，散热板中设置有冷媒管，冷媒管与一冷却系统连接形成冷媒循环环路；射频功率放大器电路板上对应每个功放管的位置开设有贯通至散热板上表面的贯通孔，功放管嵌合在对应的贯通孔中，贯通孔中位于功放管和散热板之间的部分填充有液金；从而能够有效对射频功率放大器的功放管进行散热，进而提高功放管的使用寿命和使用稳定性，在稳定输出功率的同时，使射频信号的传输效率得到一定的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117411447A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311400897.2
申请日：2023-10-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于电子通信技术领域，公开了一种采用LDMOS器件的射频功率放大器，采用LDMOS场效应晶体管组成推挽电路，提高了射频功率放大器对瞬时高功率输入和高驻波比的承受能力，并能够提高输出稳定性和输出功率水平；此外，通过输入变压器、阻抗匹配电路和传输线变压器对LDMOS场效应晶体管的源端和负载端进行阻抗匹配，能够减少功率传输过程中产生的回波损耗，进一步提高输出稳定性和输出功率水平；而且，该射频功率放大器的拓扑结构简单，器件精简。
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公开(公告)号：CN115882807B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310223271.2
申请日：2023-03-09
Applicant: 季华实验室
Inventor： 卢佳纯
IPC: H03H7/38 , G06F30/367
Abstract: 本申请属于射频技术领域，公开了一种射频开关管的阻抗匹配电路及阻抗匹配方法，先通过仿真方式得到第一匹配网络和第二匹配网络的初步网络参数，并以此搭建实体电路，可使实体电路的第一匹配网络和第二匹配网络的网络参数接近于最优，然后只需要在实体电路中对第一匹配网络和第二匹配网络的网络参数进行少量的微调工作，即可使实体电路的传输效率最优，从而确定得到最优的网络参数；与直接通过实体电路进行网络参数手动调整的匹配方式相比，工作效率更高、匹配精度更高，更有利于提高射频开关管的阻抗匹配电路的传输效率。
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公开(公告)号：CN119276232A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411812436.0
申请日：2024-12-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于电子通信技术领域，公开了一种采用VDMOS器件的射频功率放大器及其调试方法，使用VDMOS器件作为功放管，包括从前到后依次连接的射频输入端、功分模块、第一阻抗匹配模块、功放模块、第二阻抗匹配模块、功率合成模块和射频输出端；功放管为VDMOS器件，功分模块、第一阻抗匹配模块、功放模块、第二阻抗匹配模块和功率合成模块中任意相邻的两个模块之间均设置有隔直结构，解决了现有技术中射频功率放大器结构复杂、输出功率低、频率特性差等问题，具有结构精简、输出功率高、频率特性好、跨导高度线性、安全工作区大等优点。
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公开(公告)号：CN118554910A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410561004.0
申请日：2024-05-08
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于电子通信技术领域，公开了一种射频功分器，包括PCB板、第一射频连接器、第一平衡补偿电路、两个第二平衡补偿电路以及四个第二射频连接器；第一平衡补偿电路与第一射频连接器和第二平衡补偿电路连接，每个第二平衡补偿电路与两个第二射频连接器连接；第一平衡补偿电路用于对第一射频连接器输入的射频信号进行相位补偿后均分为两路能量相等的射频信号输入至两个第二平衡补偿电路，第二平衡补偿电路用于对进入的射频信号进行相位补偿后，均分为两路能量相等的射频信号从对应的两个第二射频连接器输出；从第一射频连接器分别到四个第二射频连接器的四路传输路径一致；从而能够有效减小发热和减小插损，进而提高输出功率和输出效率。
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公开(公告)号：CN117912815A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410301180.0
申请日：2024-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种变压器、射频功放电路及射频电源，属于射频技术领域，包括第一电路板和第二电路板，第一电路板与第二电路板之间设置有至少一组第一原边绕组，每组第一原边绕组包括两个铜管，每个铜管均作为独立的通道连接在第一电路板与第二电路板之间且每个铜管的外侧均套设有磁环；每组第一原边绕组中均绕制有对应的第一副边绕组，第一副边绕组包括导线，导线交替穿过对应的两个铜管形成的通道并绕设在对应的两个铜管上。本发明的变压器能够实现阻抗变换和双端转单端信号传输，满足推挽结构的射频功放电路的阻抗匹配要求，同时整体体积小，有利于减少射频功放电路的电路板尺寸，进而达到缩小射频电源尺寸的目的。
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