翘曲矫正材料和扇出型晶片级封装的制造方法

    公开(公告)号:CN110447097A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201880020184.4

    申请日:2018-03-29

    Abstract: [课题]提供一种翘曲矫正材料,其在扇出型的晶片级封装(FO-WLP)的安装时的温度下和晶片传送等的室温下均能调整翘曲量,减小WLP的翘曲。[解决手段]一种扇出型晶片级封装用的翘曲矫正材料,其特征在于,其由包含能够利用活性能量射线和热而固化的成分的固化性树脂组合物构成,在利用活性能量射线和热使上述翘曲矫正材料固化而制成平膜状的固化物时,该固化物的25℃的线膨胀系数α(ppm/℃)、25℃的弹性模量β(GPa)和厚度γ(μm)满足下述关系式:2000≤α×β×γ≤10000。

    固化性树脂组成物和扇出型的晶片级封装

    公开(公告)号:CN108701657B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN201780011797.7

    申请日:2017-02-09

    Abstract: 提供一种固化性树脂组合物,其在半导体晶片或半导体封装、尤其是扇出型的晶片级封装(FO‑WLP)的安装时的温度下和晶片传送等的室温下均能够抑制翘曲量;和一种扇出型的晶片级封装,其具备包含固化性树脂组合物的固化物的翘曲矫正层。一种固化性树脂组合物,其为能够通过至少两种以上的固化反应发生固化的固化性树脂组合物,该固化性树脂组合物包含体积因上述一种固化反应而收缩的固化性成分(A1)、和体积因另一种固化反应而收缩的固化性成分(B1)。

    布线基板用基材的再利用方法

    公开(公告)号:CN114467363A

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202080068575.0

    申请日:2020-09-29

    Abstract: 本发明提供下述方法:在制造于基材上设有固化被膜的布线基板时,在一部分固化被膜中发现缺陷的情况下,可从基材上仅去除缺陷部分的固化被膜,同时无论感光性树脂组合物的组成如何,均可从基材上去除其固化被膜。从具备形成于基材表面的固化被膜的布线基板上去除一部分或全部固化被膜以再利用上述基材的方法,其特征在于:上述固化被膜由感光性树脂组合物的固化物构成,该方法包括以下步骤:对上述一部分或全部固化被膜照射在氧环境下可产生活性氧的活性能量射线和可裂解C‑C碳键的活性能量射线中的至少任1种;以及用溶剂洗涤上述布线基板,以去除被活性能量射线照射的部分的固化被膜。

    光致抗蚀剂组合物及其固化物

    公开(公告)号:CN113646698A

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202080026101.X

    申请日:2020-03-27

    Abstract: 本发明提供光致抗蚀剂组合物,该光致抗蚀剂组合物即使利用弱碱性显影液也可进行显影,可得到高分辨率的微细图案化,并且剥离性也优异。光致抗蚀剂组合物,其特征在于:包含(A)含羧基树脂、(B)光聚合性单体和(C)热固化性成分而构成,其中,在平面基板上涂布上述光致抗蚀剂组合物使固化后的膜厚为2μm±0.5μm,在75℃、30分钟的预烘后,在大气环境下以1,000mJ/cm2的曝光量曝光包含波长375nm的紫外线1,使上述光致抗蚀剂组合物固化,然后通过在30℃下使用1wt%的Na2CO3水溶液进行180秒的显影处理而形成固化被膜1,将其表面的算术平均粗糙度Ra设为Ra1,进一步在氧环境下以25.2J/cm2的曝光量对上述固化被膜1曝光包含波长185nm和254nm的紫外线2而形成固化被膜2,将其表面的算术平均粗糙度Ra设为Ra2,在这种情况下满足式:Ra2/Ra1≤4.5×10‑1。

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